[發(fā)明專利]一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件

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• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN112054069A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 吳志鵬;王琦龍;翟雨生
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/102
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 薛雨妍

1.一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件，其特征在于：該探測器件結構自下而上分別為：底部電極結構（1），半導體層（2），金屬薄膜層（3），介質層（4）以及頂部的金屬圓盤結構（5）。

2.如權利要求1所述的一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件，其特征在于：所述的圓盤超表面結構（5）在空間分布上呈正六邊形分布，圓盤厚度為10nm～200nm，圓盤周期為200～2000nm，圓盤半徑為80～900nm，其材料為金、銀、鋁、鈀、銅中的其中一種或多種上述金屬組合的合金。

3.如權利要求1所述的一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件，其特征在于：所述的介質層（4）的厚度為20nm～500nm，其材料為二氧化硅、氮化硅、三氧化二鋁、氧化鋅、二氧化鈦、氧化鉿或者氟化鎂中的一種或者多種。

4.如權利要求1所述的一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件，其特征在于：所述的金屬薄膜層（3）厚度為10nm～80nm，其材料為金、銀、鋁、鈀、銅中一種或多種金屬的合金，其作用不僅能夠做為光學波導實現(xiàn)窄帶分光，同時可以做為底部半導體層（2）的電極，與底部電極結構（1）形成對電極，實現(xiàn)光電流的探測功能。

5.如權利要求1所述的一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件，其特征在于：所述的半導體層（2）的厚度為100nm～5000nm，其材料為氧化鋅、氧化鈦、硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或銦鎵砷，其結構為任意一種上述材料的層狀結構或者多種上述材料疊加組成PN結型或者PIN結型結構。

6.如權利要求1所述的一種基于圓盤超表面結構窄帶濾光的集成化光電探測器件，其特征在于：所述底部電極結構（1）的厚度為50 nm以上，其材料為金、銀、銅或者鋁中的一種或者多種上述金屬組成的合金。