[發(fā)明專利]用于涂覆基底的裝置、方法和系統(tǒng)以及超導(dǎo)的帶狀導(dǎo)體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010878315.1
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN112442664A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬治·西格爾
• 申請（專利權(quán)）人: 澤瓦薄膜技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/20;C23C14/30;C23C14/56
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.用于在真空環(huán)境(1)中以金屬涂層涂覆基底(4)的方法，其中，在所述真空環(huán)境(1)中存在最高1×10^-1帕斯卡的環(huán)境氣體壓強(qiáng)，所述方法包括：

a.在氣體源(2)中產(chǎn)生在氣相中的金屬材料(9)，其中，所述金屬材料(9)的蒸氣壓強(qiáng)在所述氣體源(2)中至少為10¹帕斯卡；

b.將氣態(tài)的金屬材料(9)導(dǎo)入到擴(kuò)張空間(3)中；

c.其中，所述擴(kuò)張空間(3)具有拉瓦爾噴嘴的擴(kuò)張部的形狀并且設(shè)置成使所述氣態(tài)的金屬材料(9)擴(kuò)張并且指向所述基底(4)；并且

d.將所述金屬材料(9)沉積在所述基底(4)的表面的至少一部分上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述擴(kuò)張空間(3)設(shè)置成，將所述氣態(tài)的金屬材料(9)的顆粒的側(cè)向的沖量分量轉(zhuǎn)變成朝向所述基底(4)的縱向的沖量分量；和/或其中

所述擴(kuò)張空間(3)設(shè)置成，在朝向所述基底(4)的方向上產(chǎn)生所述氣態(tài)的金屬材料(9)的超音速流；和/或其中，

所述擴(kuò)張空間(3)設(shè)置成，使得所述氣態(tài)的金屬材料(9)的顆粒如此對準(zhǔn)所述基底(4)，使得所述顆粒以相對于所述基底(4)的面法線不大于15°、優(yōu)選不大于10°、最優(yōu)選不大于5°的角撞擊。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，

在所述真空環(huán)境(1)中存在最高1×10^-2帕斯卡、更為優(yōu)選最高1×10^-3帕斯卡的環(huán)境氣體壓強(qiáng)；和/或其中，

所述基底(4)優(yōu)選連續(xù)地運(yùn)動(dòng)經(jīng)過所述擴(kuò)張空間(3)的排出口。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，

所述氣態(tài)的金屬材料(9)的顆粒在從所述氣體源(2)中流出時(shí)具有小于1mm、優(yōu)選小于0.1mm、更為優(yōu)選小于0.05mm的平均自由路徑長度；和/或其中，

所述金屬材料(9)的蒸氣壓強(qiáng)在所述氣體源(2)中為至少10²帕斯卡、更為優(yōu)選至少10³帕斯卡。

5.用于在真空環(huán)境(1)中以金屬涂層涂覆基底(4)的裝置，其中，在所述真空環(huán)境(1)中存在最高1×10^-1帕斯卡的環(huán)境氣體壓強(qiáng)，所述裝置包括：

a.用于產(chǎn)生在氣相中的金屬材料(9)的氣體源(2)，其中，所述金屬材料(9)的蒸氣壓強(qiáng)在所述氣體源(2)中至少為10¹帕斯卡；

b.其中，所述氣體源(2)具有開口，所述氣態(tài)的金屬材料(9)從所述開口流入擴(kuò)張空間(3)；并且

c.其中，所述擴(kuò)張空間(3)具有拉瓦爾噴嘴的擴(kuò)張部的形狀并且設(shè)置成使得所述氣態(tài)的金屬材料(9)擴(kuò)張并且對準(zhǔn)所述基底(4)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，

所述擴(kuò)張空間(3)設(shè)置成，將所述氣態(tài)的金屬材料(9)的顆粒的至少一個(gè)側(cè)向的沖量分量轉(zhuǎn)變成朝向所述基底(4)的縱向的沖量分量；和/或其中，

所述擴(kuò)張空間(3)設(shè)置成，在朝向所述基底(4)的方向上產(chǎn)生所述氣態(tài)的金屬材料(9)的超音速流動(dòng)；和/或其中，

所述擴(kuò)張空間(3)設(shè)置成，使得所述氣態(tài)的金屬材料(9)的顆粒對準(zhǔn)所述基底(4)，使得所述顆粒以相對于所述基底(4)的面法線不大于15°、優(yōu)選不大于10°、最優(yōu)選不大于5°的角撞擊。

7.根據(jù)權(quán)利要求5-6中任一項(xiàng)所述的裝置，還包括

包圍所述擴(kuò)張空間(3)的側(cè)表面，其中，所述側(cè)表面的至少一部分具有防附著涂層、優(yōu)選全氟聚醚、PFPE防附著涂層；和/或其中

所述側(cè)表面的至少一部分如此處理，使得提高對熱輻射的吸收；和/或其中

所述側(cè)表面的至少一部分被主動(dòng)式冷卻。