[發(fā)明專利]高吸收熱電堆及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010874367.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN111969098A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;楊濤;李俊峰;王文武;陳大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L35/32
• 分類號: H01L35/32;B82Y40/00;G01J5/12;H01L35/02;H01L35/34
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 孫蕾

1.一種熱電堆，其特征在于，所述熱電堆包括紅外吸收層；

其中，所述紅外吸收層包括旋涂碳材質(zhì)。

2.如權(quán)利要求1所述的熱電堆，其特征在于，包括：

紅外吸收層，為復(fù)合疊層；所述紅外吸收層包括：

中紅外吸收層；

近紅外吸收層，形成于所述中紅外吸收層上；其中，所述近紅外吸收層包括旋涂碳材質(zhì)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的熱電堆，其特征在于，所述紅外吸收層包括多個納米凸起。

4.如權(quán)利要求3所述的熱電堆，其特征在于，所述納米凸起包括納米線、納米柱或者納米椎。

5.如權(quán)利要求2所述的熱電堆，其特征在于，所述中紅外吸收層的材質(zhì)包括氮化硅、碳化硅或者多晶硅材料。

6.如權(quán)利要求1所述的熱電堆，其特征在于，所述熱電堆在紅外吸收層的下方由上至下還依次包括熱電偶、支撐層和襯底；其中，所述熱電堆還設(shè)置背腔；所述背腔由襯底背面釋放形成。

7.一種熱電堆的制作方法，其特征在于，包括：采用旋涂方法形成包括旋涂碳材質(zhì)的紅外吸收層。

8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成紅外吸收層之前，所述制作方法還包括在襯底上外延形成支撐層和熱電偶的步驟；

在形成紅外吸收層之后，所述制作方法還包括如下步驟：

步驟A：采用保護(hù)膜對紅外吸收層進(jìn)行保護(hù)；

步驟B：在所述襯底上刻蝕形成背腔；

步驟C：采用灰化工藝去除保護(hù)膜，完成制備。

9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，包括多個納米凸起的紅外吸收層的制備具體包括：對紅外吸收層進(jìn)行刻蝕，形成多個納米凸起。

10.如權(quán)利要求9所述的熱電堆的制作方法，其特征在于，

采用光刻、電子束光刻或者納米壓印方法對紅外吸收層進(jìn)行刻蝕形成多個納米凸起；

刻蝕前，光刻膠需要用O₂等離子體進(jìn)行修剪，形成預(yù)設(shè)的納米凸起形貌；

在刻蝕過程中，刻蝕氣為O₂，壓力為1～20mT，上射頻功率為100～500W，下射頻功率為0～100W。