[發明專利]一種基于二硒化鉑/n-型超薄硅肖特基結的顏色探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 202010874279.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN111952403B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 羅林保;姜心愿;尹翔
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;G01J3/50;H01L31/032;H01L31/18
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 盧敏

1.一種基于二硒化鉑/n-型超薄硅肖特基結的顏色探測器，其特征在于：所述顏色探測器是由兩個相同的肖特基結單元組合而成；

所述肖特基結單元是在玻璃襯底(1)的上表面固定有厚度為20-30μm的n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上鋪設有二硒化鉑薄膜(3)；在所述n-型超薄硅片(2)上設置有與其呈歐姆接觸的n-型超薄硅接觸電極(4)，在所述二硒化鉑薄膜(3)上設置有與其呈歐姆接觸的二硒化鉑接觸電極(5)；在所述肖特基結單元中，由n-型超薄硅片與二硒化鉑薄膜構成肖特基結；

以第一肖特基結單元的玻璃襯底的下表面與第二肖特基結單元的玻璃襯底的上表面疊合，即構成顏色探測器；

當光從第一肖特基結單元的上表面逐層照射所述顏色探測器時，第一肖特基結單元與第二肖特基結單元的電流比，隨被探測光波長的增大而減小，從而可根據電流比識別被探測光的波長。

2.根據權利要求1所述的顏色探測器，其特征在于：所述玻璃襯底(1)的厚度為0.8-1mm。

3.根據權利要求1所述的顏色探測器，其特征在于：所述n-型超薄硅片(2)的電阻率為1-7Ω·cm的n-型輕摻雜硅片。

4.根據權利要求1所述的顏色探測器，其特征在于：所述二硒化鉑薄膜(3)的厚度為20-25nm。

5.根據權利要求1所述的顏色探測器，其特征在于：所述n-型超薄硅接觸電極(4)為30-500nm厚的In/Ga合金電極。

6.根據權利要求1所述的顏色探測器，其特征在于：所述二硒化鉑接觸電極(5)為30-300nm厚的Ag電極。

7.一種權利要求1～6中任意一項所述顏色探測器的制備方法，其特征在于，按如下步驟進行：

步驟1、將n-型超薄硅片放在質量濃度為5％-10％的氫氟酸溶液或BOE刻蝕液中刻蝕5-10分鐘，去除表面的自然氧化層，取出后進行清洗并干燥；

步驟2、將經步驟1處理后的n-型超薄硅片轉移到清洗干凈的玻璃襯底上；

步驟3、將二硒化鉑薄膜轉移至n-型超薄硅片上；

步驟4、采用涂抹的方法，分別在n-型超薄硅片與二硒化鉑薄膜上制作n-型超薄硅接觸電極和二硒化鉑接觸電極，即形成肖特基結單元；

步驟5、取兩個按照步驟1～4制得的相同的肖特基結單元，以第一肖特基結單元的玻璃襯底的下表面與第二肖特基結單元的玻璃襯底的上表面疊合，即完成基于二硒化鉑/n-型超薄硅肖特基結的顏色探測器的制備。