[發明專利]三維存儲器的制備方法及離子注入裝置

有效

• 申請號: 202010873525.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN111883539B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 孫璐
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11582;H01L21/265;H01L21/67;H01J37/317
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成堆疊層，并刻蝕所述堆疊層，以形成貫穿所述堆疊層的溝道孔；

對所述堆疊層背離所述襯底的表面離子注入；

在所述“對所述堆疊層背離所述襯底的表面離子注入”之前，所述制備方法還包括：

檢測所述堆疊層沿第一方向的翹曲度，及沿第二方向的翹曲度；其中，所述第一方向與所述第二方向交叉設置；

在所述堆疊層的上方設置圖案化的遮擋件；其中，所述圖案化的遮擋件包括沿同一方向間隔設置的多個遮擋條，任意相鄰的兩個所述遮擋條之間設有間隙；

當所述第一方向的翹曲度大于所述第二方向的翹曲度時，設置多個所述遮擋條沿所述第二方向間隔排布，且所述間隙沿所述第一方向延伸；

當所述第二方向的翹曲度大于所述第一方向的翹曲度時，設置多個所述遮擋條沿所述第一方向間隔排布，且所述間隙沿所述第二方向延伸。

2.如權利要求1所述的三維存儲器的制備方法，其特征在于，在所述“對所述堆疊層離子注入”之前，所述制備方法還包括：

沿所述溝道孔形成存儲芯柱。

3.如權利要求1或2所述的三維存儲器的制備方法，其特征在于，在所述“對所述堆疊層離子注入”之后，所述制備方法還包括：

吸附所述襯底背離所述堆疊層的表面，以轉移所述襯底和所述襯底上的所述堆疊層至待刻蝕位置。

4.如權利要求1或2所述的三維存儲器的制備方法，其特征在于，在所述“對所述堆疊層離子注入”之后，所述制備方法還包括：

在所述堆疊層的表面綁定待綁定物；其中，所述待綁定物與所述堆疊層電性連接。

5.一種離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置用于如權利要求1至4中任一項所述的三維存儲器的制備方法，所述離子注入裝置包括離子注入組件及承載組件，所述離子注入組件設有離子注入口，所述承載組件設有用于承載目標物的承載面；

所述離子注入裝置還包括遮擋件，所述遮擋件包括間隔設置的多個遮擋條，任意相鄰的兩個所述遮擋條之間設有間隙；當所述離子注入裝置處于第一狀態時，所述遮擋件位于所述離子注入口與所述承載面之間；

所述離子注入裝置還包括連接件，所述連接件相對所述承載組件旋轉，帶動所述遮擋件相對所述承載組件旋轉。

6.如權利要求5所述的離子注入裝置，其特征在于，多個所述遮擋條沿第一方向排布，且所述遮擋條沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向交叉設置。

7.如權利要求6所述的離子注入裝置，其特征在于，所述遮擋條包括多個平坦部及多個凸起部，所述多個凸起部相對所述多個平坦部凸起，多個所述平坦部與多個所述凸起部交替設置，且多個所述平坦部及多個所述凸起部均沿所述第二方向排布。

8.如權利要求5至7中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，所述承載組件相對所述離子注入組件旋轉，當所述離子注入裝置處于所述第一狀態時，所述承載面所在的平面與所述離子注入口的開口所在的平面平行；當所述離子注入裝置處于第二狀態時，所述承載面所在的平面與所述離子注入口的開口所在的平面相交。