[發(fā)明專利]閃存芯片的讀干擾測試方法、裝置及可讀存儲介質(zhì)

在審

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• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112017726A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設計）人: 曹啟鵬;王卉;王善屹;胡劍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種閃存芯片的讀干擾測試方法，其特征在于，包括：

對待測試的閃存芯片進行預操作，所述預操作包括對所述閃存芯片的每個存儲位進行至少一次預編程；

在所述預操作之后，對所述待測試的閃存芯片進行讀干擾測試。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存芯片的讀干擾測試方法，其特征在于，所述預操作還包括在每次所述預編程之后和/或之前，對所述閃存芯片的每個存儲位進行一次預擦除。

3.如權(quán)利要求1或2所述的閃存芯片的讀干擾測試方法，其特征在于，

對待測試的閃存芯片進行預操作的步驟包括：對所述閃存芯片的每個存儲位均依次進行第一次預擦除、預編程、第二次預擦除。

4.如權(quán)利要求2所述的閃存芯片的讀干擾測試方法，其特征在于，所述預操作包括：對所述閃存芯片的每個存儲位均進行第一次預擦除，以及，在所述第一次預擦除之后，執(zhí)行存儲功能測試，所述存儲功能測試包括多次循環(huán)編程和擦除操作，且循環(huán)的次數(shù)取決于所述閃存芯片的整個性能測試時間。

5.一種閃存芯片的性能測試方法，其特征在于，包括：

按照含有讀干擾測試項目的第一針測程序，對所述閃存芯片進行第一次測試，且在進行到所述讀干擾測試項目時，按照權(quán)利要求1～4中任一項所述的閃存芯片的讀干擾測試方法，對所述閃存芯片進行讀干擾測試；

在所述第一次測試完成之后，對所述閃存芯片進行烘烤，以模擬老化過程；

按照第二針測程序，對所述閃存芯片進行數(shù)據(jù)保持性能測試。

6.一種閃存芯片的讀干擾測試裝置，其特征在于，包括：

預操作模塊，用于對待測試的閃存芯片進行預操作，所述預操作包括對所述閃存芯片的每個存儲位進行至少一次預編程；

讀干擾測試模塊，用于在所述預操作之后，對所述待測試的閃存芯片進行讀干擾測試。

7.如權(quán)利要求6所述閃存芯片的讀干擾測試裝置，其特征在于，所述預操作模塊包括預編程單元和預擦除單元，所述預編程單元用于在對所述待測試的閃存芯片進行讀干擾測試之前，對所述閃存芯片的每個存儲位進行至少一次預編程；所述預擦除單元用于在所述預編程模塊每次執(zhí)行所述預編程之后和/或之前，對所述閃存芯片的每個存儲位進行一次預擦除。

8.如權(quán)利要求6或7所述閃存芯片的讀干擾測試裝置，其特征在于，所述預操作模塊，包括：

第一次預擦除單元，用于在對所述待測試的閃存芯片進行讀干擾測試之前，對所述閃存芯片的每個存儲位均進行第一次預擦除；

預編程單元，用于對所述第一次預擦除后的所述閃存芯片的每個存儲位均進行預編程；

第二次預擦除單元，用于對所述預編程后的所述閃存芯片的每個存儲位均進行第二次預擦除。

9.如權(quán)利要求6所述閃存芯片的讀干擾測試裝置，其特征在于，所述預操作用于：對所述閃存芯片的每個存儲位,均進行第一次預擦除，以及，在所述第一次預擦除之后,執(zhí)行存儲功能測試，所述存儲功能測試包括多次循環(huán)編程和擦除操作，且循環(huán)的次數(shù)取決于所述閃存芯片的整個性能測試時間。

10.一種包含計算機可執(zhí)行指令的可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可執(zhí)行指令在由計算機處理器執(zhí)行時，用于執(zhí)行如權(quán)利要求1-4中任一項所述的閃存芯片的讀干擾測試方法。