[發明專利]透明Ga2 在審
| 申請號： | 202010872254.8 | 申請日： | 2020-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN112103354A | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 黃健;尚藝;陳卓睿;別佳瑛;黃浩斐;唐可;王林軍 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明 ga base sub | ||
1.一種透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器，其特征在于：依次由襯底、p型NiO薄膜、i層Ga2O3薄膜、n型的硼、鎵共摻的氧化鋅(BGZO)薄膜和Au電極進行層疊組裝而成，構成透明薄膜探測器結構，襯底采用石英玻璃。
2.根據權利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器，其特征在于，Ga2O3的禁帶寬度為4.9eV，所對應的探測波段處于200-280nm日盲區的中間部位；探測器采用p-i-n型結構增大耗盡區的寬度，提高器件的響應度。
3.根據權利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器，其特征在于，p型NiO薄膜厚度為100-300nm。
4.根據權利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器，其特征在于，i層Ga2O3薄膜厚度為200-400nm。
5.根據權利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器，其特征在于，硼、鎵共摻的氧化鋅薄膜厚度為50-200nm。
6.根據權利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器，其特征在于，Au電極厚度為50-100nm。
7.一種權利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
a.NiO薄膜的制備：
用酒精、丙酮溶液超聲波清洗石英玻璃襯底，以除去石英玻璃襯底表面的有機雜質，再用去離子水清洗2-5次，至玻璃襯底干凈為止；通過射頻磁控濺射方法，在玻璃襯底上制作p型NiO薄膜，控制薄膜厚度為100-300nm；
b.Ga2O3薄膜的制備：
采用射頻磁控濺射的方法，在所述步驟a中制備有NiO薄膜的石英玻璃襯底上繼續制備Ga2O3薄膜作為i層，控制Ga2O3薄膜的厚度200-400nm；
c.硼、鎵共摻的氧化鋅薄膜的制備：
采用射頻磁控濺射方法，在所述步驟b中制備的Ga2O3薄膜的襯底上，繼續生長厚度為50-200nm的硼、鎵共摻的氧化鋅薄膜；
d.電極的制備：
通過電子束蒸發工藝方法，在所述步驟c中制備硼、鎵共摻的氧化鋅薄膜上繼續制作金屬電極，并控制電極厚度為50-100nm，從而得到透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器件。
8.根據權利要求7所述透明Ga2O3的p-i-n異質結構日盲型紫外光探測器的制備方法，其特征在于：
在所述步驟a中，制備NiO薄膜厚度為200-300nm；
或者，在所述步驟b中，制備Ga2O3薄膜的厚度250-400nm；
或者，在所述步驟c中，制備硼、鎵共摻的氧化鋅薄膜的厚度為80-200nm；
或者，在所述步驟d中，制備金電極的厚度為70-100nm。
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