[發明專利]大面陣紅外探測器及其芯片低應力冷頭結構有效
| 申請號： | 202010871113.4 | 申請日： | 2020-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN112002773B | 公開（公告）日： | 2022-03-11 |
| 發明（設計）人： | 付志凱;張磊;吳卿;王成剛 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | H01L31/024 | 分類號： | H01L31/024;H01L31/09;H01L31/101 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 羅丹 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大面 紅外探測器 及其 芯片 應力 結構 | ||
1.一種大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，包括：
杜瓦冷臺；
陶瓷結構件，粘接于所述杜瓦冷臺；
至少一層陶瓷框架，粘接于所述陶瓷結構件遠離所述杜瓦冷臺的一側；
探測器混成芯片，粘接于所述至少一層陶瓷框架遠離所述陶瓷結構件的一側；
所述至少一層陶瓷框架包括依次層疊設置的第一層陶瓷框架、第二層陶瓷框架、和第三層陶瓷框架，所述第一層陶瓷框架與所述第二層陶瓷框架粘接，所述第二層陶瓷框架與所述第三層陶瓷框架粘接；
所述陶瓷結構件包括主體部和支撐部，所述支撐部呈環形且外套于所述主體部；
所述主體部的下端與所述杜瓦冷臺粘接，所述主體部的上端與所述第二層陶瓷框架粘接；
所述第三層陶瓷框架呈環形且外套于所述主體部，所述第三層陶瓷框架的上表面與所述第二層陶瓷框架粘接，所述第三層陶瓷框架的下表面與所述支撐部粘接。
2.如權利要求1所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，所述探測器混成芯片的面積為16mm×12.8mm。
3.如權利要求1-2中任一項所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，所述至少一層陶瓷框架以及所述陶瓷結構件均為Al2O3材料件。
4.如權利要求1所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，所述至少一層陶瓷框架包括第四層陶瓷框架；
所述大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，還包括：陶瓷墊片；
所述第四層陶瓷框架的下表面與所述陶瓷結構件粘接，所述第四層陶瓷框架的上表面與所述陶瓷墊片的下表面粘接，所述陶瓷墊片的上表面與所述探測器混成芯片粘接。
5.如權利要求4所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，所述陶瓷墊片為SiC材料件；
所述第四層陶瓷框架以及所述陶瓷結構件均為AlN材料件。
6.如權利要求5所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，所述探測器混成芯片的面積為32mm×25.6mm。
7.如權利要求1所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構，其特征在于，所述探測器混成芯片，包括：
硅讀出電路；
探測器芯片，與所述硅讀出電路通過銦柱和膠互連。
8.一種大面陣紅外探測器，其特征在于，包括：根據權利要求1-7中任一項所述的大面陣紅外探測器芯片低應力冷頭結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
