[發(fā)明專利]一種基于MOF-AuNPs涂層的超低阻抗電極界面的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010870935.0
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN112198210A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張友雄;吳清平;張菊梅;韋獻(xiàn)虎;孫銘;李兵;丁郁;薛亮;陳謀通;王涓;古其會(huì);葉青華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東省微生物研究所（廣東省微生物分析檢測(cè)中心）
• 主分類號(hào): G01N27/416
• 分類號(hào): G01N27/416;G01N27/49
• 代理公司: 廣州科粵專利商標(biāo)代理有限公司 44001
• 代理人: 朱雙;劉明星

1.一種基于MOF-AuNPs涂層的超低阻抗電極界面的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

a.將MOF材料超聲分散于重蒸水中，攪拌條件下加入聚乙烯酰胺水溶液并反應(yīng)12～24h，洗滌后重分散于重蒸水中，得聚乙烯酰胺修飾的MOF材料分散液；

b.打磨拋光玻碳電極并用超純水超聲沖洗，保護(hù)氣氛條件下干燥，得到拋光的玻碳電極；

c.將聚乙烯酰胺修飾的MOF材料分散液滴加在拋光的玻碳電極表面，干燥，得到MOF材料修飾的電極；

d.于含有HAuCl4的KCl溶液中，建立三電極體系，以MOF材料修飾的電極作為工作電極，Pt電極作為對(duì)電極，飽和甘汞電極作為參比電極，采用循環(huán)伏安法進(jìn)行電沉積，電位掃描范圍為-1.2V～0V，掃描速度為0.02～0.1V/s，掃描段數(shù)為6～30段，電沉積結(jié)束后，將電極取出并用重蒸水沖洗干凈，干燥后得到基于MOF-AuNPs涂層的超低阻抗電極界面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的MOF材料為MIL-101(Fe)、MIL-101(Cr)或MIL-100(Fe)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的MOF材料與聚乙烯酰胺的質(zhì)量比為1:3～5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的MOF材料分散于重蒸水中后形成的濃度為0.5～1.5mg/mL，所述的聚乙烯酰胺水溶液的濃度為質(zhì)量分?jǐn)?shù)5％～10％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的步驟b的打磨拋光玻碳電極并用超純水超聲沖洗，包括以下步驟：玻碳電極依次用粒徑為1.0、0.3和0.05μm的氧化鋁在拋光布上打磨2min，每用一種粒徑的氧化鋁拋光粉后需用超純水沖洗電極表面并超聲5min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的步驟a的超聲分散，超聲時(shí)間為2～5min；所述的步驟a的攪拌，攪拌速率為600～1200r/min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的聚乙烯酰胺修飾的MOF材料分散液濃度為0.5～1.5mg/mL，滴加體積為5～10μL。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的含有HAuCl4的KCl溶液，其中HAuCl4的濃度為1～10mmol/L，KCl的濃度為0.1mol/L。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的基于MOF-AuNPs涂層的超低阻抗電極界面。

10.權(quán)利要求9所述的基于MOF-AuNPs涂層的超低阻抗電極界面在電化學(xué)生物傳感器中的應(yīng)用。