[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)及其檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010870922.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111834245B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張連寶;陳宏;王卉;曹子貴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66;H01L27/11521;G01B21/08;G01B21/30
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，使用半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)；其中，所述半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；所述多個(gè)存儲(chǔ)單元呈陣列式排布且所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸按待檢測(cè)存儲(chǔ)單元的尺寸同比例擴(kuò)大；其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元包括形成于襯底上的掩模層和字線，所述字線上表面的高度低于所述掩模層上表面的高度；

所述半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法包括：

在所述半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的表面上任意位置放置一探針；

所述探針沿任意一方向滑動(dòng)一設(shè)定距離，且經(jīng)過(guò)所述字線上表面和所述掩模層上表面；以及，

檢測(cè)裝置獲取所述探針的移動(dòng)路徑，并獲取所述字線上表面與所述掩模層上表面的高度差。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述字線上表面和所述掩模層上表面均是平整表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元之間相互接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元在長(zhǎng)度方向上的尺寸為大于10微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述字線上表面在寬度方向上的尺寸為大于或等于1微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元還包括依次形成于所述襯底上，且在所述掩模層與所述襯底之間的浮柵層、ONO膜層以及控制柵層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述字線貫穿所述掩模層，所述字線還貫穿所述浮柵層、所述ONO膜層以及所述控制柵層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元還包括側(cè)墻結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括第一氧化硅層、氮化硅層以及第二氧化硅層；其中，所述第一氧化硅層沿所述字線的側(cè)面及下表面設(shè)置；所述氮化硅層形成于所述第一氧化硅層遠(yuǎn)離所述字線的一側(cè)，且貫穿所述控制柵層及所述掩模層；所述第二氧化硅層形成于所述掩模層與所述氮化硅層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述掩模層的材質(zhì)包括氮化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述字線的材質(zhì)包括多晶硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體PCM結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法用于化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的檢測(cè)。