[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010870891.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN111968913A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許秀秀;吳建榮;梁金娥
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司;華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制備方法包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有掩模層以及貫穿所述掩模層的字線，且所述字線覆蓋所述掩模層的表面；

采用化學(xué)機械研磨工藝去除部分厚度的所述字線，以暴露所述掩模層；

對所述字線表面及所述掩模層表面進(jìn)行氧化處理，并在所述字線上形成氧化層；

去除所述氧化層，以獲得設(shè)定厚度的所述字線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述氧化處理的方法為快速熱氧化工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述快速熱氧化工藝中使用的氧化劑包括氧氣和/或水蒸汽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述氧化層的厚度范圍為：10埃～100埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，采用化學(xué)機械研磨工藝去除部分厚度的所述字線，以暴露所述掩模層之后，所述字線的表面與所述掩模層的表面齊平，且在所述掩模層的表面殘留有所述字線經(jīng)化學(xué)機械研磨工藝處理后產(chǎn)生的材料顆粒。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，對所述字線表面及所述掩模層表面進(jìn)行氧化處理時，相應(yīng)氧化處理所述材料顆粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述氧化層時，氧化處理后的所述材料顆粒也相應(yīng)去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，去除所述氧化層的方法為濕法刻蝕或者干法刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，去除所述氧化層后，所述字線的表面低于所述掩模層的表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述字線的材質(zhì)為多晶硅；所述掩模層的材質(zhì)為氮化硅。