[發明專利]大文件完整性技術在審
| 申請號: | 202010870839.6 | 申請日: | 2020-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN112445718A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | D·A·帕爾默 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 文件 完整性 技術 | ||
本申請涉及大文件完整性技術。本文公開了用于在主機與閃速存儲系統之間更有效地交換大量數據的裝置和技術。在一個實例中,讀取命令或寫入命令可以任選地包含文件類型指示符。所述文件類型指示符可以允許使用閃速轉換層FTL表或邏輯到物理L2P表的單個記錄來在所述主機與所述閃速存儲系統之間交換數據,并且其中所述數據量可能比與所述閃速存儲系統相關聯的原子單元大得多。
技術領域
實施例涉及存儲器電路,并且更具體地涉及用于維持在主機與存儲器之間移動大文件的完整性和性能的技術。
背景技術
存儲器裝置通常以內部半導體集成電路的形式設置于計算機或其它電子裝置中。存在許多不同類型的存儲器,包含易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器可能需要電力來維護數據,并且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)和同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等。非易失性存儲器可以通過在斷電時保留所存儲的數據來提供持久數據,并且可以包含NAND閃速存儲器、NOR閃速存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)和電阻可變存儲器(如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)和磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、3D XPointTM存儲器等)。
存儲器單元通常被布置成矩陣或陣列。多個矩陣或陣列可以組合成存儲器裝置,并且可以組合多個裝置以形成存儲器系統的存儲容量,如固態驅動器(SSD)、通用閃速存儲(UFSTM)裝置、多媒體卡(MMC)固態存儲裝置、嵌入式MMC裝置(eMMCTM)等。
存儲器系統可以包含執行邏輯功能以操作存儲器裝置或與外部系統接口的一或多個處理器或其它存儲器控制器。存儲器矩陣或陣列可以包含被組織成多個物理頁的存儲器單元的多個塊。存儲器系統可以從主機接收與存儲器操作相關聯的命令,所述存儲器操作如用于在存儲器裝置與主機之間傳送數據(例如,用戶數據和相關聯的完整性數據,如錯誤數據和地址數據等)的讀取或寫入操作、用于從存儲器裝置擦除數據的擦除操作或執行一或多個其它存儲器操作。
存儲器被用作用于廣泛范圍電子應用的易失性和非易失性數據存儲,所述電子應用包含例如個人計算機、便攜式記憶棒、數碼相機、蜂窩電話、便攜式音樂播放器(如MP3播放器)、電影播放器以及其它電子裝置。可以將存儲器單元布置成陣列,其中所述陣列用于存儲器裝置中。
許多電子裝置包含若干主要組件:主機處理器(例如,中央處理單元(CPU)或其它主處理器);主存儲器(例如,一或多個易失性或非易失性存儲器裝置,如動態RAM(DRAM)、移動或低功率雙倍數據速率同步DRAM(DDR SDRAM)等);以及存儲裝置(例如,非易失性存儲器(NVM)裝置,如閃速存儲器、只讀存儲器(ROM)、SSD、MMC或其它存儲卡結構或組合件或易失性和非易失性存儲器的組合等)。在某些實例中,電子裝置可以包含用戶接口(例如,顯示器、觸摸屏、鍵盤、一或多個按鈕等)、圖形處理單元(GPU)、電源管理電路、基帶處理器或一或多個收發器電路等。
發明內容
本文公開了用于在主機與閃速存儲系統之間更有效地交換大量數據的裝置和技術。在一個實例中,讀取命令或寫入命令可以任選地包含文件類型指示符。所述文件類型指示符可以允許使用閃速轉換層FTL表或邏輯到物理L2P表的單個記錄來在所述主機與所述閃速存儲系統之間交換數據,并且其中所述數據量可能比與所述閃速存儲系統相關聯的原子單元大得多。
這部分旨在提供本專利申請的主題的概述。其并不旨在提供對本發明的排他性或詳盡的解釋。包含了具體實施方式以便提供關于本專利申請的進一步信息。
附圖說明
在不一定按比例繪制的附圖中,相同數字可以描述不同視圖中的類似組件。具有不同字母后綴的相同數字可以表示類似組件的不同實例。附圖總體上通過舉例的方式而非通過限制的方式展示了在本文檔中所討論的各個實施例。
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