[發明專利]一種導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法在審
| 申請號： | 202010870807.6 | 申請日： | 2020-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN112054120A | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 李穎 | 申請（專利權）人： | 西安理工大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人： | 羅笛 |
| 地址： | 710048 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電 細絲 調控 電阻 存儲器 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于，在氧化鋯薄膜內部插入一層或多層氧化銦摻錫納米格點陣列，并在氧化鋯薄膜的兩端分別加工底電極和頂電極。
2.根據權利要求1所述的導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于，氧化鋯薄膜的制備方法如下：以四丁醇鋯為起始原料、苯甲酰丙酮為化學修飾劑、無水乙醇為溶劑配制氧化鋯溶膠，四丁醇鋯：苯甲酰丙酮的摩爾比為1：(0.1-0.2)，四丁醇鋯：無水乙醇的體積比為1:(20-25)，采用浸漬-提拉法使用氧化鋯溶膠在鍍有底電極的單晶硅基板上制備氧化鋯凝膠薄膜。
3.根據權利要求1所述的導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法，其征在于，氧化銦摻錫納米格點陣列制備方法如下：采用浸漬-提拉法使用氧化銦摻錫溶膠制備氧化銦摻錫凝膠薄膜，采用雙光束激光干涉法制備氧化銦摻錫納米陣列凝膠薄膜。
4.根據權利要求1所述的導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于，在氧化鋯薄膜內部插入一層氧化銦摻錫納米格點陣列具體如下：采用浸漬-提拉法使用氧化銦摻錫溶膠制備氧化銦摻錫凝膠薄膜，于200℃-250℃下在烘干箱內烘干15min-20min，采用雙光束激光干涉法制備氧化銦摻錫納米陣列凝膠薄膜，經過在氧氣氣氛下于450℃-500℃熱處理后，冷卻至室溫，再采用浸漬-提拉法使用氧化鋯溶膠在氧化銦摻錫納米陣列凝膠薄膜上繼續制備氧化鋯凝膠薄膜。
5.根據權利要求4所述的導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于，在氧化鋯薄膜內部插入多層氧化銦摻錫納米格點陣列具體如下：依次重復在氧化鋯薄膜內部插入一層氧化銦摻錫納米格點陣列的方法。
6.根據權利要求1所述的導電細絲可調控的電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于，所述頂電極和底電極均為Pt電極。
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