[發明專利]三維存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 202010870228.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN111968985B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 劉云飛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H10B41/35
• 分類號: H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 杜娟;駱希聰

1.一種三維存儲器的制造方法，包括：

提供半導體結構，所述半導體結構具有襯底、形成于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括核心存儲區以及臺階區；

在所述核心存儲區和所述臺階區上方覆蓋介質層；

在所述臺階區上方的介質層上方覆蓋第一光阻層；

對所述第一光阻層進行曝光形成超交聯結構層，使所述第一光阻層具有高抗刻蝕性；

在所述超交聯結構層上方覆蓋第二光阻層；

去除所述核心存儲區上方的介質層；以及

去除所述臺階區上方的所述第二光阻層和所述超交聯結構層。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二光阻層的抗刻蝕性低于所述第一光阻層的抗刻蝕性。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述核心存儲區上方覆蓋介質層之前包括：在所述核心存儲區上方覆蓋阻擋層。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述核心存儲區和所述臺階區上方覆蓋介質層的步驟中，所述臺階區上方的介質層的厚度和所述核心存儲區上方的介質層的厚度相同。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二光阻層完全包覆所述超交聯結構層。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：采用化學機械研磨工藝處理所述核心存儲區和所述臺階區的上表面，使所述核心存儲區和所述臺階區的上表面平齊。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述臺階區上方的所述第二光阻層和所述超交聯結構層的步驟包括：采用灰化工藝，利用包括氧氣的反應氣體去除所述第二光阻層和所述超交聯結構層。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反應氣體中還包括氫氣和氮氣。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一光阻層的材料包括SU-8環氧樹脂。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一光阻層的官能度大于等于2。

11.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述三維存儲器為3D?NAND存儲器。