[發明專利]一種可提高FOM值的二維蘭姆波射頻諧振器在審
| 申請號： | 202010867930.2 | 申請日： | 2020-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN112039478A | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發明（設計）人： | 孫成亮;童欣;劉婕妤;鄒楊;周杰;徐沁文 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | H03H9/15 | 分類號： | H03H9/15;H03H9/145;H03H3/02 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 吳楚 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 fom 二維 蘭姆波 射頻 諧振器 | ||
1.一種可提高FOM值的二維蘭姆波射頻諧振器，其特征在于，包括壓電層和設置于所述壓電層表面的電極陣列，所述電極陣列中包括第一電極塊和第二電極塊，所述第一電極塊的尺寸大于第二電極塊。
2.如權利要求1所述的射頻諧振器，其特征在于，所述電極陣列包括若干第一電極陣列和第二電極陣列，所述第一電極陣列包括若干第一電極塊，所述相鄰第一電極塊之間通過第一電橋相連；所述第二電極陣列包括若干第二電極塊，所述相鄰第二電極塊之間通過第二電橋相連；所述第一電極陣列和第二電極陣列依次交替排列。
3.如權利要求1所述的射頻諧振器，其特征在于，所述電極陣列為叉指電極或者為同心圓環、同心多邊形環狀。
4.如權利要求1～3任一項所述的射頻諧振器，其特征在于，所述電極陣列位于所述壓電層的任一表面或者位于所述壓電層的上下兩個表面。
5.如權利要求4所述的射頻諧振器，其特征在于，當所述電極陣列位于所述壓電層的上下兩個表面時，所述壓電層上下表面的電極陣列方向互相垂直、平行或者為同心結構。
6.如權利要求1所述的射頻諧振器，其特征在于，所述壓電層材料為AlN、ZnO中的任一種或多種或者LiNbO3、LiTaO3、PZT壓電薄膜中的任一種；所述第一電極塊、第二電極塊、第一電橋、第二電橋的材料為金屬導電薄膜。
7.如權利要求1所述的射頻諧振器，其特征在于，所述第一電極塊和第二電極塊的形狀為圓形、橢圓形或多邊形；所述電橋的形狀為直線形，圓形，弧形或者多邊形。
8.如權利要求1所述的射頻諧振器，其特征在于，第一電極塊位于波谷，第二電極塊位于波峰。
9.一種提高二維蘭姆波諧振器FOM值的方法，其特征在于，采用權利要求1～8任一項所述的諧振器。
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