[發(fā)明專利]一種部分耗盡絕緣體上硅的體接觸結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010867363.0
• 申請(qǐng)日: 2020-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN112054061A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高林春;曾傳濱;閆薇薇;李曉靜;李多力;單梁;錢頻;倪濤;王娟娟;羅家俊;韓鄭生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/336
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 房德權(quán)

1.一種部分耗盡絕緣體上硅的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

底硅層、位于底硅層上的埋氧層、所述埋氧層上方的體區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)、P+體接觸區(qū)以及兩個(gè)第一淺溝槽隔離區(qū)；

所述體區(qū)位于所述埋氧層上方中部；

所述源區(qū)和所述漏區(qū)分別位于所述體區(qū)相對(duì)的兩端，所述兩個(gè)第一淺溝槽隔離區(qū)分別嵌入所述體區(qū)另一相對(duì)的兩端，且所述兩個(gè)第一淺溝槽隔離區(qū)的深度小于所述體區(qū)的深度；

所述P+體接觸區(qū)位于所述源區(qū)外側(cè)且位于所述埋氧層上方，與所述體區(qū)相接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源區(qū)的深度和所述漏區(qū)的深度均與所述體區(qū)的深度相等；或者

所述源區(qū)的深度和所述漏區(qū)的深度均小于所述體區(qū)的深度。

3.如權(quán)利要求1所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

位于所述體區(qū)中部上方，且位于所述源區(qū)和漏區(qū)之間的柵區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

位于所述源區(qū)和所述P+體接觸區(qū)上方的金屬硅化物層，用于將所述源區(qū)與所述P+體接觸區(qū)電連接。

5.如權(quán)利要求1所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

位于所述埋氧層上方，且位于所述兩個(gè)第一淺溝槽隔離區(qū)外側(cè)、所述漏區(qū)外側(cè)和所述P+體接觸區(qū)外側(cè)的環(huán)形第二淺溝槽隔離區(qū)，所述第二淺溝槽隔離區(qū)的深度大于所述第一淺溝槽隔離區(qū)的深度，且所述第二淺溝槽隔離區(qū)109的深度到達(dá)所述埋氧層。

6.如權(quán)利要求1所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源區(qū)為N型源區(qū)，所述漏區(qū)為N型漏區(qū)。

7.如權(quán)利要求3所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵區(qū)包括柵介質(zhì)層和位于所述柵介質(zhì)層上的柵極。

8.如權(quán)利要求1所述的體接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極為多晶硅材料。

9.一種部分耗盡絕緣體上硅的體接觸結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

在SOI襯底上定義出有源區(qū)，所述SOI襯底包括由下至上的底硅層、埋氧層和頂硅層；

在所述有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)形成第一淺溝槽隔離區(qū)，所述第一隔離區(qū)的深度小于所述頂硅層的深度；

在所述有源區(qū)內(nèi)沿著所述第一淺溝槽隔離區(qū)的長(zhǎng)度方向形成漏區(qū)和源區(qū)以及P+體接觸區(qū)，使得所述漏區(qū)和源區(qū)之間形成體區(qū)，其中，所述源區(qū)與所述P+體接觸區(qū)相接觸，所述P+體接觸區(qū)與所述體區(qū)相接觸。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)形成第一淺溝槽隔離區(qū)之后，還包括：

在所述SOI襯底上形成圍繞在所述第一淺溝槽隔離區(qū)外側(cè)、所述漏區(qū)外側(cè)、所述P+體接觸區(qū)外側(cè)的環(huán)形第二淺溝槽隔離區(qū)，所述第二淺溝槽隔離區(qū)的深度大于所述第一淺溝槽隔離區(qū)的深度，且到達(dá)所述埋氧層。