[發明專利]一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法有效
| 申請號： | 202010865111.4 | 申請日： | 2020-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN112053861B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發明（設計）人： | 曹澥宏;高鑫隆;施文慧;毋芳芳;阮鵬超 | 申請（專利權）人： | 浙江工業大學 |
| 主分類號： | H01G11/86 | 分類號： | H01G11/86;H01G11/30;H01G11/24 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 310014 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三維 導電 mof mxene 復合 電極 原位 制備 方法 | ||
1.一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）在質量分數40%的HF溶液中加入MAX相粉末刻蝕5-24 h后，去離子水離心洗滌至上層溶液pH為6-7，真空烘干得多層MXene粉末；所述MXene為Ti2CTx、Ti3C2Tx、Nb2CTx、Ti3CNTx、V2CTx、Mo2CTx、Ti4N3Tx中的一種；
（2）取步驟（1）制得的多層MXene粉末均勻分散在去離子水中，加入氯乙酸后室溫攪拌，再加入NaOH溶液，攪拌反應1-12 h后離心洗滌，真空干燥得MXene-COOH粉末；
（3）將步驟（2）制得的MXene-COOH粉末分散于去離子水中，依次加入金屬鹽、配體和氨水，50-70 ℃鼓氣攪拌反應，鼓的氣體為體積比(1-5):(0.1-2)的N2/O2混合氣，最后離心洗滌、烘干得三維導電MOF@MXene復合粉末。
2.根據權利要求1所述的一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，步驟（1）所述MAX相粉末和HF溶液投料比為1 g MAX相粉末:(5-20 mL) HF溶液。
3.根據權利要求1所述的一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，步驟（2）中MXene與氯乙酸的投料質量比為(0.2-2):(2-50)。
4.根據權利要求1所述的一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，步驟（2）所述NaOH溶液的濃度為1-10 mol/L。
5.根據權利要求1或4所述的一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，步驟（3）所述金屬鹽為六水合氯化鎳、配體為HATP·6H2O。
6.根據權利要求1所述的一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，步驟（3）中MXene-COOH、金屬鹽和配體的投料質量比為(0.2-4):(0.5-5):(1-6)。
7.根據權利要求1或6所述的一種三維導電MOF@MXene復合電極的原位制備方法，其特征在于，步驟（3）所述導電MOF為Cu3(HHTP)2、Co-HAB、Ni3(HITP)2、Fe2(BDP)3中的一種。
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