[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件、制造其的方法以及電子裝置模塊

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• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN111900139A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金泰賢;金錫慶;韓奎范;孫瓘后
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;馬翠平

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

框架，包括通孔；

電子組件，設(shè)置在所述通孔中；

重新分配部，設(shè)置在所述框架和所述電子組件的下面；

金屬層，設(shè)置在所述框架的內(nèi)表面上；以及

導(dǎo)電層，設(shè)置在所述金屬層和所述電子組件之間，并覆蓋所述框架和所述電子組件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述框架包括由絕緣材料形成的芯以及設(shè)置在所述芯的上表面和下表面中的任意一個或兩者上的導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述框架還包括過孔，所述過孔被構(gòu)造為將所述導(dǎo)體層電連接到所述重新分配部，并且

所述金屬層和所述導(dǎo)電層通過所述過孔連接到接地電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述金屬層包括銅、鎳以及包含銅和鎳中的任意一種的合金中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電環(huán)氧樹脂和焊料材料中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電環(huán)氧樹脂為銀環(huán)氧樹脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

結(jié)合輔助層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層的下面，并被構(gòu)造為幫助所述導(dǎo)電層結(jié)合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電層包括焊料材料，并且

所述結(jié)合輔助層包括錫、鉛、銀以及包含錫、鉛和銀中的任意一種的合金中的任意一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述重新分配部的下表面具有設(shè)置在所述重新分配部中的焊球。

10.一種電子裝置模塊，包括：

如權(quán)利要求1-9中任一項所述的半導(dǎo)體封裝件；以及

電子裝置，安裝在所述半導(dǎo)體封裝件的側(cè)部上。

11.一種電子裝置模塊，包括：

如權(quán)利要求1-9中任一項所述的半導(dǎo)體封裝件；以及

疊層封裝件，安裝在所述半導(dǎo)體封裝件的一側(cè)上。

12.一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，包括：

在框架的內(nèi)表面上形成金屬層；

在設(shè)置于所述框架中的導(dǎo)通孔中形成過孔；

在設(shè)置于所述框架中的通孔中設(shè)置電子組件；

在所述電子組件和所述金屬層之間形成導(dǎo)電層，并且所述導(dǎo)電層覆蓋所述電子組件和所述框架；

在所述框架和所述電子組件的下表面上形成重新分配部；以及

在所述重新分配部的下表面上形成焊球。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括：在所述框架的所述內(nèi)表面上形成所述金屬層以及在所述導(dǎo)通孔中形成所述過孔之后，將載體構(gòu)件結(jié)合到所述框架的下表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述金屬層包括銅、鎳以及包含銅和鎳中的任意一種的合金中的任意一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述金屬層和所述導(dǎo)電層通過所述過孔連接到接地電極。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電環(huán)氧樹脂中的任意一種。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述導(dǎo)電環(huán)氧樹脂為銀環(huán)氧樹脂。