[發(fā)明專利]多波束相控陣芯片、接收機模塊以及發(fā)射機模塊

有效

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• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN111952726B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設計）人: 彭娜
• 申請（專利權）人: 南京匯君半導體科技有限公司
• 主分類號: H01Q3/34
• 分類號: H01Q3/34;H04B1/40
• 代理公司: 北京元合聯(lián)合知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 11653
• 代理人: 李非非

1.一種多波束相控陣芯片，該多波束相控陣芯片包括：

兩個第一端口；

分為兩組的八個分路端口，每一所述第一端口通過平衡差分電路與一組四個所述分路端口連接，所述八個分路端口中任意兩個所述分路端口和與其對應連接的所述第一端口之間的信號損耗系數(shù)相等；

八條移相電路，每一條所述移相電路僅與一個所述分路端口連接；

四個功分器，所述八個分路端口中不同組的所述分路端口兩兩配置為一對，四對所述分路端口分別通過與其對應連接的所述移相電路連接至不同的所述功分器；

四個第二端口，分別連接至不同的所述功分器。

2.根據(jù)權利要求1所述的多波束相控陣芯片，其中，所述平衡差分電路包括：

設置在所述第一端口和所述分路端口之間的多條信號分路電路，每一所述信號分路電路用于連接所述第一端口以及與其對應的一個所述分路端口；

所述多條信號分路電路中的任意兩條所述信號分路電路具有相同或鏡像對稱的結構。

3.根據(jù)權利要求2所述的多波束相控陣芯片，其中，每一所述信號分路電路包括：

與所述第一端口連接的第一級功分器；

與所述第一級功分器連接的第一級差分連接線；

通過所述第一級差分連接線與所述第一級功分器連接的第二級差分功分器；

與所述第二級差分功分器連接的第二級差分連接線，所述第二級差分連接線配置成僅與對應的一個所述分路端口連接。

4.根據(jù)權利要求3所述的多波束相控陣芯片，其中：

所述第一級功分器是單端信號功分器；

每一所述信號分路電路還包括設置在所述第一級功分器和所述第一級差分連接線之間的巴倫。

5.根據(jù)權利要求3或4所述的多波束相控陣芯片，其中：

所述多條信號分路電路包括的所有所述第一級功分器的工作參數(shù)相同，所有所述第二級差分功分器的工作參數(shù)相同，所有所述第一級差分連接線的特征阻抗相同，所有所述第二級差分連接線的特征阻抗相同。

6.根據(jù)權利要求3所述的多波束相控陣芯片，其中：

相鄰的兩條所述第一級差分連接線在電路板上具有交叉點；

相鄰的兩條所述第二級差分連接線在電路板上具有交叉點。

7.根據(jù)權利要求1所述的多波束相控陣芯片，其中，所述移相電路包括：

串聯(lián)的移相器和增益控制器。

8.根據(jù)權利要求7所述的多波束相控陣芯片，其中，該多波束相控陣芯片還包括：

設置在所述分路端口和與其對應連接的移相電路之間的巴倫。

9.一種多波束相控陣接收機模塊，該多波束相控陣接收機模塊包括如權利要求1至8任一項所述的多波束相控陣芯片，還包括：

多個低噪聲放大器，該低噪聲放大器的數(shù)量與所述第一端口的數(shù)量相等，所述多個低噪聲放大器的輸出端分別與不同的所述第一端口連接；

多個放大器，該放大器的數(shù)量與所述第二端口的數(shù)量相等，所述多個放大器的輸入端分別與不同的所述第二端口連接。

10.一種多波束相控陣發(fā)射機模塊，該多波束相控陣發(fā)射機模塊包括如權利要求1至8任一項所述的多波束相控陣芯片，還包括：

多個放大器，該放大器的數(shù)量與所述第二端口的數(shù)量相等，所述多個放大器的輸出端分別與不同的所述第二端口連接；

多個功率放大器，該功率放大器的數(shù)量與所述第一端口的數(shù)量相等，所述多個功率放大器的輸入端分別與不同的所述第一端口連接。

11.一種用于多波束相控陣芯片的平衡差分網(wǎng)絡，該平衡差分網(wǎng)絡包括：

兩個第一端口；

分為兩組的2N個分路端口，每一所述第一端口通過平衡差分電路與一組N個所述分路端口連接，所述2N個分路端口中任意兩個所述分路端口和與其對應連接的所述第一端口之間的信號損耗系數(shù)相等；

N是正整數(shù)，并且N是4的倍數(shù)。