[發明專利]寫入到交叉點非易失性存儲器

有效

• 申請號: 202010864196.4
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN111968687B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 王蓓;A·卡德羅尼;W·肯尼;A·約翰遜;D·V·N·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22;G11C11/56;G11C14/00;H01L27/11502;H01L27/11507
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及寫入到交叉點非易失性存儲器。描述針對非易失性存儲器陣列的用于在目標存儲器單元的重復存取操作期間防止對非目標存儲器單元的干擾的方法、系統及裝置。多個存儲器單元可與共同導電線電子通信，且每一存儲器單元可具有電非線性選擇組件。在對目標存儲器單元的存取操作(例如，讀取或寫入操作)之后，可通過將放電電壓施加到所述共同導電線將非目標存儲器單元放電。所述放電電壓可(例如)具有與所述存取電壓相反的極性。在其它實例中，可在存取嘗試之間建立延遲以便將所述非目標存儲器單元放電。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。本分案的母案是申請日為2017年6月2日、申請號為201780040056.1、發明名稱為“寫入到交叉點非易失性存儲器”的發明專利申請案。

交叉參考

本專利申請案主張2017年6月2日申請的標題為“寫入到交叉點非易失性存儲器(Writing to Cross-Point Non-Volatile Memory)”的第PCT/US2017/035762號PCT申請案的優先權，所述申請案主張由王(Wang)等人在2016年6月29日申請的標題為“寫入到交叉點非易失性存儲器(Writing to Cross-Point Non-Volatile Memory)”的第15/197,416號美國專利申請案的優先權，所述申請案中每一者轉讓給其受讓人，且所述申請案中的每一者以其全文引用方式明確并入本文中。

技術領域

技術領域涉及寫入到交叉點非易失性存儲器。

背景技術

以下大體上涉及存儲器裝置，且更具體來說，涉及操作非易失性存儲器陣列。

存儲器裝置廣泛地用于在各種電子裝置(例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器及類似物)中存儲信息。信息通過編程存儲器裝置的不同狀態來存儲。舉例來說，二進制裝置具有兩種狀態，通常由邏輯“1”或邏輯“0”標示。在其它系統中，可存儲兩種以上狀態。為存取經存儲信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的經存儲狀態。為存儲信息，電子裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態。

存在多種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、只讀存儲器(ROM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)及其它存儲器。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。即使在不存在外部電源的情況下，非易失性存儲器，例如，FeRAM，也可在延長的時間周期內維持其經存儲邏輯狀態。易失性存儲器裝置，例如，DRAM，可隨著時間的推移丟失其經存儲狀態，除非其通過外部電源周期性地刷新。改進存儲器裝置可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度、增加可靠性、增加數據保持、減少電力消耗或降低制造成本以及其它度量。

在一些存儲器架構中，多個存儲器單元可與共同導電線電子通信。讀取或寫入存儲器單元中的一者可影響其它非目標存儲器單元。舉例來說，重復地供能給共同導電線以讀取或寫入存儲器單元中的一者可干擾或損壞非目標存儲器單元中的經存儲邏輯值。這可降低存儲器陣列的性能或甚至危害存儲器陣列的操作。

發明內容

描述了一種方法。在一些實例中，所述方法可包含：將第一電壓施加到第一導電線，所述第一導電線與鐵電存儲器單元電子通信，所述鐵電存儲器單元與選擇組件電子通信，其中所述第一電壓在存取操作期間施加；將第二電壓施加到第二導電線，所述第二導電線與所述選擇組件電子通信，其中所述第二電壓在所述存取操作期間施加，且其中在所述存取操作期間跨越所述鐵電存儲器單元及所述選擇組件的電壓包括所述第一電壓與所述第二電壓之間的差；及在所述存取操作之后的放電操作期間將第三電壓施加到所述第一導電線，其中所述第三電壓的振幅是至少部分基于所述選擇組件的閾值電壓。