[發明專利]一種用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置

有效

• 申請號: 202010864102.3
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN112098481B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 蔡端俊;盧詩強;李俊冀;李書平
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G01N27/28
• 分類號: G01N27/28;G01N27/30
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 楊澤奇

1.一種用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：包括電解液容器，所述電解液容器底部設置有開口，所述開口下方放置p 型摻雜的氮化物半導體晶片；所述導體晶片的p 型層表面于電解液中，且電解液只與晶片中的p 型層表面相接觸；

還包括輔助電極和參比電極，所述輔助電極和參比電極一端設置在所述電解液容器內，可與電解液容器內的電解液接觸，另一端穿過所述電解液容器側壁與外部測試裝置連接；

還包括與所述p 型摻雜的氮化物半導體晶片電性連接的探針或導線，所述p 型摻雜的氮化物半導體晶片上設置有金屬電極，或設置有銦接觸金屬，所述銦接觸金屬與所述探針或導線電性接觸，且所述探針或導線未浸入電解液中。

2.根據權利要求1所述的用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：所述電解液容器的溶液為HCl、HF、HBr、HI溶液中的一種。

3.根據權利要求1所述的用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：所述p型摻雜的氮化物半導體晶片上設置有金屬電極，或設置有銦接觸金屬，所述銦接觸金屬與所述探針或導線電性接觸。

4.根據權利要求1所述的用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：所述電解液容器采用特弗龍材料或石英材料制成。

5.根據權利要求1所述的用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：所述開口與p 型摻雜的氮化物半導體晶片之間設置有O型密封圈;

所述輔助電極和另一端穿過所述電解液容器側壁位置采用密封處理；

所述輔助電極和參比電極與所述p 型摻雜的氮化物半導體晶片平行設置。

6.根據權利要求1所述的用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：所述輔助電極包括并且不限于鉑、鉛、銅、鈦、錫和石墨不溶于電解液的惰性導電材料；所述參比電極包括并且不限于飽和甘汞電極、Ag/AgCl 電極和標準氫電極。

7.根據權利要求1所述的用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置，其特征在于：所述p型摻雜的氮化物半導體晶片的結構為單層、多層、超晶格及組分漸變結構，包括p型層的完整LED、LD、探測器。