[發明專利]晶圓級芯片尺寸封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010863430.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN113675155A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 林俊辰
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/60;H01L21/78
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，包括：

第一芯片，具有多個焊墊；

重布線路層，位于所述第一芯片上且電性連接至所述多個焊墊；

多個球底金屬層，位于所述重布線路層上；

多個導電柱，位于一部分的所述多個球底金屬層上；

第二芯片，位于另一部分的所述多個球底金屬層上，且所述第二芯片具有面向所述多個球底金屬層的有源面，其中所述多個導電柱圍繞所述第二芯片；

封裝膠體，至少包封所述第二芯片與所述多個導電柱的部分側壁，其中所述封裝膠體的頂面低于所述多個導電柱的頂面；以及

多個連接部，位于所述多個導電柱上，其中所述多個連接部通過所述多個導電柱以及所述多個球底金屬層與所述重布線路層電性連接，且所述多個連接部延伸至所述封裝膠體的所述頂面。

2.根據權利要求1所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述多個連接部為塊狀、半球狀或球狀的焊料。

3.根據權利要求2所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述多個連接部包覆所述多個導電柱的另一部分所述側壁。

4.一種晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圓，其中所述晶圓包括多個第一芯片，且每一所述多個第一芯片具有多個焊墊；

形成重布線路層于所述晶圓上且電性連接至所述多個焊墊；

形成多個球底金屬層于所述重布線路層上；

形成多個導電柱于所述多個球底金屬層上，其中兩相鄰的所述多個導電柱之間具有一開口；

配置第二芯片于所述開口中，其中所述第二芯片具有面向所述多個球底金屬層的有源面且電性連接至所述多個球底金屬層；

形成封裝膠體以至少包封所述第二芯片與所述多個導電柱的部分側壁；以及

形成多個連接部于所述多個導電柱上，其中所述多個連接部通過所述多個導電柱以及所述多個球底金屬層與所述重布線路層電性連接。

5.根據權利要求4所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，還包括：

形成多個第一掩模層于所述重布線路層上；

進行電鍍工藝，以于所述多個第一掩模層之間形成所述多個球底金屬層。

6.根據權利要求4所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，還包括：

形成多個第二掩模層于部分所述多個球底金屬層上且暴露出另一部分的所述多個球底金屬層；

進行電鍍工藝，以于被暴露出的所述另一部分的所述多個球底金屬層上形成所述多個導電柱；以及

移除所述多個第二掩模層，以形成所述開口。

7.根據權利要求4所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，形成所述封裝膠體后還包括：

對所述晶圓進行晶背研磨工藝，以薄化所述晶圓厚度。

8.根據權利要求4所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，形成所述封裝膠體后還包括：

對所述晶圓進行切割工藝，以形成單離的晶圓級芯片尺寸封裝結構。

9.根據權利要求8所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，形成所述多個連接部的步驟包括：

形成多個焊料層于所述多個導電柱上，其中所述多個焊料層的形成方法包括網版印刷、電鍍或涂布。

10.根據權利要求9所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構的制造方法，其特征在于，形成所述多個焊料層于所述多個導電柱后還包括：

對所述多個焊料層進行回焊工藝。