[發明專利]半導體器件中的觸件隔離體

在審

• 申請號: 202010863293.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN112447601A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 曾文德;李偉健;陶錚
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 王穎;江磊

1.一種形成用于半導體器件的觸件隔離體(900)的方法，其包括：

a.提供半導體結構，其包括暴露其下方觸件(600)的溝槽(400)，

b.用犧牲材料(700)填充溝槽(400)的底部，

c.用陶瓷材料(800)滲透所述犧牲材料(700)，以及

d.去除犧牲材料(700)。

2.如權利要求1所述的方法，其中，犧牲材料(700)包含路易斯堿性官能團。

3.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，犧牲材料(700)是旋涂碳或聚(甲基丙烯酸甲酯)。

4.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，陶瓷材料(800)是Al、Hf、Zr、Ti、Ru或Si的氧化物。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，陶瓷材料(800)的相對介電常數為15或更小，優選為10或更小。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，步驟c包括：

c1.使犧牲材料(700)暴露于第一前體，和

c2.使犧牲材料(700)暴露于第二前體。

7.如權利要求6所述的方法，其中，第一前體是路易斯酸性金屬化合物，其中第二前體是氧化劑。

8.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，步驟c包括連續滲透合成。

9.如前述權利要求中任一項所述的方法，其在步驟c之后包括步驟e：

e.在陶瓷材料(800)上生長另一陶瓷材料。

10.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，步驟b包括：

b1.用犧牲材料(700)填充溝槽(400)，和

b2.回蝕該犧牲材料(700)。

11.如權利要求10所述的方法，其中，步驟b2包括基于H₂/He的等離子體蝕刻。

12.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，步驟d包括基于O₂的等離子體蝕刻。

13.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述半導體器件是互補場效應晶體管。

14.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，觸件(600)的隔離體的厚度為20nm或更小，優選為10nm或更小。

15.一種形成用于半導體器件的觸件隔離體(900)的半導體結構，其包括：

i.溝槽(400)，

ii.鄰接溝槽(400)的底部的觸件(600)，和

iii.填充溝槽(400)的底部的用陶瓷材料(800)滲透的犧牲材料(700)。