[發明專利]增進工藝均勻性的方法及系統在審
| 申請號： | 202010862237.6 | 申請日： | 2015-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN111986975A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | S·辛格;A·曹;張景春;李子匯;張漢申;D·盧博米爾斯基 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增進 工藝 均勻 方法 系統 | ||
1.一種蝕刻基板的方法，所述方法包括：
形成含氟前體的等離子體流出物；
通過噴淋頭將所述等離子體流出物輸送至半導體處理區域中；
用所述等離子體流出物接觸駐留在支撐基座上的基板，其中所述基板包括硅，其中所述支撐基座包括第一材料，其中所述支撐基座包括與所述支撐基座的遠程部分耦接的環形構件，并且其中所述環形構件包括與所述第一材料不同的第二材料；以及
將所述環形構件基本地保持在高于約50℃的溫度。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述硅的邊緣蝕刻率在所述基板的中央蝕刻率的約5％的范圍內。
3.如權利要求1所述的方法，其中在所述接觸期間，所述半導體處理區域基本沒有等離子體。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述環形構件包括鍍有所述第二材料的第一材料。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述第二材料包括鎳或鉑。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述硅由所述等離子體流出物蝕刻。
7.如權利要求1所述的方法，其中所述含氟前體包括NF3。
8.一種蝕刻基板的方法，所述方法包括：
形成含氟前體的等離子體流出物；
通過噴淋頭將所述等離子體流出物輸送至半導體處理區域中；
用所述等離子體流出物接觸駐留在支撐基座上的基板，其中所述基板包括硅，其中所述支撐基座包括第一材料，其中所述半導體處理區域的側壁包含內側腔室表面上的襯墊，所述襯墊包括與所述第一材料不同的第二材料；以及
蝕刻所述基板上的所述硅。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述硅的邊緣蝕刻率在所述基板的中央蝕刻率的約5％的范圍內。
10.如權利要求8所述的方法，其中在所述接觸期間，所述半導體處理區域基本沒有等離子體。
11.如權利要求8所述的方法，其中所述襯墊包括鍍有所述第二材料的第一材料。
12.如權利要求8所述的方法，其中所述第二材料包括鎳或鉑。
13.如權利要求8所述的方法，其中所述含氟前體包括NF3。
14.一種蝕刻基板的方法，所述方法包括：
形成含氟前體的等離子體流出物；
將所述等離子體流出物輸送至半導體處理區域中，其中一個或多個部件包括鎳；
用所述等離子體流出物接觸駐留在支撐基座上的基板，其中所述基板包括硅；以及
蝕刻所述基板上的所述硅。
15.如權利要求14所述的方法，其中所述含氟前體是NF3。
16.如權利要求14所述的方法，其中包括鎳的所述一個或多個部件是所述支撐基座上的邊緣環或所述半導體處理區域內的襯墊。
17.如權利要求14所述的方法，其中所述基板被維持在高于50℃或約50℃的溫度。
18.如權利要求14所述的方法，其中所述支撐基座包括與所述支撐基座的遠程部分耦接的環形構件，并且其中所述環形構件包括所述鎳。
19.如權利要求18所述的方法，其中所述環形構件包括鍍有鎳的鋁。
20.如權利要求14所述的方法，其中所述半導體處理區域的側壁包含內側腔室表面上的襯墊，并且其中所述襯墊包括所述鎳。
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