[發(fā)明專利]RRAM單元結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010861497.1 | 申請日： | 2020-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN111987217A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 沈陽;鄒榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rram 單元 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種RRAM單元結(jié)構(gòu)，包括自上而下形成金屬頂電極、氧化物阻變層和金屬底電極，其特征在于：金屬底電極形成凸形結(jié)構(gòu)，該凸形結(jié)構(gòu)的凸部伸入氧化物阻變層中。
2.如權(quán)利要求1所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：氧化物阻變層是氧化鎳(NiO)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉿(HfOx)或氧化鉭(TaOx)。
3.如權(quán)利要求1所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：金屬頂電極是氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
4.如權(quán)利要求1所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：金屬底電極是氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
5.一種RRAM單元結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，沉積制作金屬底電極，將金屬底電極刻蝕形成凸形結(jié)構(gòu)；
S2，沉積阻變層金屬，氧化形成氧化物阻變層；
S3，研磨平坦化氧化物阻變層頂部；
S4，沉積制作金屬頂電極。
6.如權(quán)利要求5所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：實施步驟S1時，采用氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)制作金屬底電極。
7.如權(quán)利要求5所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：實施步驟S3時，氧化形成氧化鎳(NiO)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉿(HfOx)或氧化鉭(TaOx)作為氧化物阻變層。
8.如權(quán)利要求5所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：實施步驟S4時，采用化學機械研磨平坦化氧化物阻變層頂部。
9.如權(quán)利要求5所述的RRAM單元結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：實施步驟S5時，采用氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)制作金屬頂電極。
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