[發明專利]濺射裝置以及制造磁存儲器件的方法在審
| 申請號: | 202010861459.6 | 申請日: | 2020-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN112501563A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 李俊明;金晥均;盧恩仙;樸正憲;鄭峻昊 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;H01L43/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濺射 裝置 以及 制造 磁存儲器 方法 | ||
1.一種濺射裝置,包括:
腔室;
氣體供應源,配置為向所述腔室供應第一惰性氣體和第二惰性氣體,所述第一惰性氣體和所述第二惰性氣體分別具有第一蒸發點和第二蒸發點,其中所述第一蒸發點高于所述第二蒸發點;
多個濺射槍,在所述腔室的上部中;
卡盤,在所述腔室的下部中并面對所述多個濺射槍,所述卡盤配置為在其上容納襯底;以及
冷卻單元,連接到所述卡盤的下部,所述冷卻單元配置為將所述卡盤冷卻至低于所述第一蒸發點且高于所述第二蒸發點的溫度。
2.根據權利要求1所述的濺射裝置,其中所述冷卻單元包括:
冷卻器,配置為產生冷熱能;以及
冷卻連桿,在所述冷卻器和所述卡盤之間并且連接到所述腔室的所述下部,所述冷卻連桿配置為將所述冷卻器的所述冷熱能傳遞到所述卡盤。
3.根據權利要求2所述的濺射裝置,還包括:
驅動機構,穿過所述冷卻連桿并配置為使所述卡盤旋轉,
其中所述冷卻連桿包括填充有第一冷卻劑的空腔。
4.根據權利要求3所述的濺射裝置,其中
所述冷卻單元還包括連接到所述冷卻連桿的冷卻劑供應源,所述冷卻劑供應源包括,
第一冷卻劑供應源,連接到所述冷卻連桿并配置為向所述空腔提供所述第一冷卻劑,和
第二冷卻劑供應源,連接到所述驅動機構在所述空腔中的部分并配置為向所述卡盤供應第二冷卻劑。
5.根據權利要求4所述的濺射裝置,其中所述冷卻連桿還包括在所述空腔中的密封構件,所述密封構件將所述第二冷卻劑供應源連接到所述驅動機構。
6.根據權利要求2所述的濺射裝置,其中所述冷卻單元還包括在所述冷卻連桿和所述卡盤之間的冷卻頭。
7.根據權利要求1所述的濺射裝置,其中所述氣體供應源包括:
第一氣體供應源,配置為供應所述第一惰性氣體;和
第二氣體供應源,配置為供應所述第二惰性氣體。
8.根據權利要求7所述的濺射裝置,其中所述多個濺射槍包括:
第一濺射槍,在所述腔室中的一側;和
第二濺射槍,在所述腔室中的另一側,
其中所述第二濺射槍具有連接到所述第二氣體供應源的噴嘴孔,所述噴嘴孔配置為噴射所述第二惰性氣體。
9.根據權利要求1所述的濺射裝置,其中
所述第一惰性氣體包括氬氣,并且
所述第二惰性氣體包括氖氣。
10.根據權利要求1所述的濺射裝置,其中所述溫度等于或低于50K。
11.一種濺射裝置,包括:
腔室;
卡盤,在所述腔室的下部中并裝載襯底;
冷卻單元,連接到所述卡盤的下部,所述冷卻單元配置為將所述卡盤冷卻至低于室溫的溫度;
氣體供應源,配置為向所述腔室供應惰性氣體;以及
多個濺射槍,在所述卡盤上方并在所述腔室的上部中,
其中所述多個濺射槍包括,
第一濺射槍,在所述卡盤的一側,和
第二濺射槍,在所述卡盤的另一側,所述第二濺射槍具有配置為噴射所述惰性氣體的噴嘴孔。
12.根據權利要求11所述的濺射裝置,其中
所述第二濺射槍包括,
陰極,
在所述陰極上的靶,以及
圍繞所述靶的屏蔽件,并且
所述噴嘴孔在所述屏蔽件中。
13.根據權利要求11所述的濺射裝置,其中所述氣體供應源包括:
第一氣體供應源,連接到所述腔室并配置為供應第一惰性氣體;和
第二氣體供應源,連接到所述噴嘴孔并配置為供應第二惰性氣體。
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