[發明專利]一種高儲能低損耗的雙層復合膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010861419.1
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN111961241B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 徐建華;孫松;郭繼民;李霞麗;楊雨萌;楊亞杰;周榆久;陳富佳
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C08J5/18;C08L79/08;C09D127/16
• 代理公司: 北京知果之信知識產權代理有限公司 11541
• 代理人: 崔金

1.一種高儲能低損耗的雙層復合膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)選取高介電常數材料，并配制成溶液：將高介電常數材料溶于有機溶劑中，攪拌至材料完全溶解；高介電常數材料為介電常數＞12的材料；所述高介電常數材料為聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯，有機溶劑為DMF，配制所得溶液的濃度為8％-17％；

(2)配制聚醚酰亞胺溶液：將聚醚酰亞胺溶于有機溶劑中，加熱、攪拌至聚醚酰亞胺完全溶解；有機溶劑為NMP，加熱的溫度為40-80℃，聚醚酰亞胺溶液的濃度為10％-18％；

(3)將聚醚酰亞胺溶液均勻澆鑄于基板上，烘干，得聚醚酰亞胺薄膜；在聚醚酰亞胺薄膜表面均勻流延一層高介電常數材料溶液，烘干，得所述雙層復合膜；雙層復合膜中聚醚酰亞胺薄膜的厚度與高介電常數材料薄膜的厚度比為1：2-8，所得雙層復合膜的厚度為5-20μm 。

2.根據權利要求1所述一種高儲能低損耗的雙層復合膜的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，所述基板為石英基板，兩次烘干的溫度均為40-80℃，兩次烘干所用時間均為10-18h。