[發明專利]一種高通量植入式柔性神經電極的制備方法及其結構有效
| 申請號: | 202010860818.6 | 申請日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN112107307B | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 陶虎;楊會然;周志濤;魏曉玲 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號: | A61B5/262 | 分類號: | A61B5/262;A61B5/293;A61B5/263 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通量 植入 柔性 神經 電極 制備 方法 及其 結構 | ||
1.一種高通量植入式柔性神經電極的制備方法,其特征在于,包括:
制備襯底;所述襯底具有釋放面;
在所述襯底的所述釋放面上制備多個電極區組;所述多個電極區組中每個電極區組含有第一電極區、第二電極區和第三電極區,所述第一電極區、所述第二電極區和所述第三電極區中每個電極區含有第一預設數量的電極,所述每個電極區間隔分布使得所述襯底被劃分為多個待制備區域;
在所述多個待制備區域上制備第一絕緣層;所述第一絕緣層的厚度大于所述每個電極區的厚度;
在所述電極區組的第一電極區上制備第一金屬布線層,以及在所述第一金屬布線層上制備第二絕緣層;所述第二絕緣層的面積大于所述第一金屬布線層的面積;
在所述電極區組的第二電極區上制備第二金屬布線層,以及在所述第二絕緣層和所述第二金屬布線層上制備第三絕緣層;所述第二金屬布線層的厚度大于所述第一金屬布線層的厚度;
在所述電極區組的第三電極區上制備第三金屬布線層,以及在所述第二絕緣層、所述第三絕緣層和所述第三金屬布線層上制備第四絕緣層;所述第三金屬布線層的厚度大于所述第二金屬布線層的厚度;
沿所述釋放面剝離所述襯底,得到單一神經電極單元;
將第二預設數量的單一神經電極單元與電路板連接,得到所述高通量植入式柔性神經電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述在所述電極區組的第一電極區上制備第一金屬布線層,包括:
利用步進光刻機對所述電極區組的第一電極區進行光刻,且利用金屬蒸鍍和剝離工藝在所述第一電極區的上表面制備出所述第一金屬布線層;所述第一金屬布線層的布線寬度在第一預設范圍內。
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述在所述電極區組的第二電極區上制備第二金屬布線層,包括:
利用步進光刻機對所述電極區組的第二電極區進行光刻,且利用金屬蒸鍍和剝離工藝在所述第二電極區的上表面制備出所述第二金屬布線層;所述第二金屬布線層的布線寬度在第一預設范圍內。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述在所述電極區組的第三電極區上制備第三金屬布線層,包括:
利用步進光刻機對所述電極區組的第三電極區進行光刻,且利用金屬蒸鍍和剝離工藝在所述第三電極區的上表面制備出所述第三金屬布線層;所述第三金屬布線層的布線寬度在第一預設范圍內。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述單一神經電極單元的通道數為2160;
所述高通量植入式柔性神經電極的通道數為10800。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述多個電極區組中電極區組的數量的設定區間為[10,15];
所述第二預設數量的設定區間為[4,6]。
7.根據權利要去6所述的制備方法,其特征在于,所述在所述襯底的所述釋放面上制備多個電極區組,包括:
在所述襯底的所述釋放面上制備12個電極區組,所述12個電極區組中每個電極區含有第一電極區、第二電極區和第三電極區,所述第一電極區、所述第二電極區和所述第三電極區中每個電極區含有60個電極。
8.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述將第二預設數量的單一神經電極單元與電路板連接,得到所述高通量植入式柔性神經電極,包括:
將5個所述單一神經電極單元與所述電路板連接,得到所述高通量植入式柔性神經電極。
9.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括制備所述襯底的步驟;
所述制備所述襯底的步驟包括:
獲取基底;
在所述基底的上表面制備犧牲層,得到所述襯底;所述犧牲層的上表面為所述釋放面。
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