[發明專利]晶體管尺寸在線監控的方法

在審

• 申請號: 202010860711.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN111967216A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 朱忠華;魏芳;曹云
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/398;G06F117/12
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

1.一種晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，根據產品的版圖設計數據，將晶體管分為標準SRAM晶體管和非標準SRAM晶體管；

步驟S2，按照晶體管的屬性對所述標準SRAM晶體管和所述非標準SRAM晶體管進行歸類處理，使其分為不同的組別；

步驟S3，將所述非標準SRAM晶體管的所有組別分為已驗證非標準SRAM晶體管和待驗證非標準SRAM晶體管；

步驟S4，利用量測工具對所述標準SRAM晶體管、所述已驗證非標準SARM晶體管和所述待驗證非標準SRAM晶體管按照不同的采樣比進行尺寸量測，其中所述標準SRAM晶體管的采樣比小于所述已驗證非標準SARM晶體管的采樣比，所述已驗證非標準SARM晶體管的采樣比小于所述待驗證非標準SRAM晶體管的采樣比。

2.根據權利要求1所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，在步驟S1中，通過SRAM的標識層將晶體管分為所述標準SRAM晶體管和非標準SRAM晶體管。

3.根據權利要求1所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述晶體管的屬性包括晶體管自身尺寸、晶體管關聯標識層、版圖環境中的至少一項。

4.根據權利要求3所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，所述晶體管自身尺寸包括溝道長度、溝道寬度、柵上包圍、柵間距中的至少一項。

5.根據權利要求3所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，所述晶體管關聯標識層包括阱層、源層、IO標識層中的至少一項。

6.根據權利要求3所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，所述版圖環境包括密度、周長、線寬中的至少一項。

7.根據權利要求1所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，在步驟S3中，根據晶體管數據庫將所述非標準SRAM晶體管的所有組別分為已驗證非標準SRAM晶體管和待驗證非標準SRAM晶體管。

8.根據權利要求7所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，所述晶體管數據庫存儲有已驗證非標準SARM晶體管，且所述待驗證非標準SRAM晶體管在驗證之后作為新的已驗證非標準SARM晶體管存儲至所述晶體管數據庫中。

9.根據權利要求1所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，在步驟S4中，所述標準SRAM晶體管的采樣比為1/1000000～1/10000000，所述已驗證非標準SARM晶體管的采樣比為1/10000～1/1000000，所述待驗證非標準SRAM晶體管的采樣比大于1/10000。

10.根據權利要求1所述的晶體管尺寸在線監控的方法，其特征在于，在步驟S4中，所述量測工具為特征尺寸測量用掃描電子顯微鏡、電子束缺陷檢測及圖形測量分析系統、電子束計量系統。