[發明專利]存儲器及其制作方法

在審

• 申請號: 202010859679.5
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN111987106A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 王濤
• 申請（專利權）人: 維沃移動通信有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 田露;王永亮

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底(101)；

堆疊層，所述堆疊層設置于所述襯底(101)上，所述堆疊層包括沿第一方向交替疊置的隔離層(102)和第一存儲柵極層(103)；

溝道，所述溝道設置于所述襯底(101)上且貫穿于所述堆疊層，所述溝道的第一部分沿第二方向上依次疊置有第二存儲柵極層(115)、阻擋層(107)、電子捕獲層(108)、電子遂穿層(111)和導電溝道層(112)，所述溝道包括第一功能層，沿所述第一方向上每兩個所述第一功能層之間存在第一距離，所述第一功能層包括所述第二存儲柵極層(115)、所述阻擋層(107)和所述電子捕獲層(108)；

其中，所述堆疊層的所述第一存儲柵極層(103)與所述溝道的所述第二存儲柵極層(115)對應。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述溝道還包括第二部分，所述第二部分和所述第一部分以所述溝道的中心軸為對稱軸對稱設置；

其中，所述第二部分沿所述第二方向上依次疊置有導電溝道層(112)、電子遂穿層(111)、電子捕獲層(108)、阻擋層(107)和第二存儲柵極層(115)。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向相垂直。

4.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括公共源極(109)，所述公共源極(109)設置于所述襯底(101)上且貫穿于所述堆疊層。

5.根據權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述公共源極(109)設置有多個，多個所述公共源極(109)沿所述第二方向間隔設置于所述堆疊層內，相鄰兩個所述公共源極(109)之間存在第二距離。

6.一種存儲器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：

提供襯底(101)；在所述襯底(101)上形成預設堆疊層，所述預設堆疊層包括交替設置的隔離層(102)及犧牲層(110)；沿第一方向貫穿所述預設堆疊層刻蝕出溝道孔(104)并使所述襯底(101)暴露出；將所述預設堆疊層中的犧牲層(110)替換為第一存儲柵極層(103)，所述隔離層(102)與所述第一存儲柵極層(103)構成堆疊層；在所述溝道孔(104)的兩側將每條所述第一存儲柵極層(103)靠近所述溝道孔(104)的一部分進行刻蝕去除形成缺口部(105)；在每個所述缺口部(105)內，沿著第二方向填充形成阻擋層(107)及電子捕獲層(108)，在所述溝道孔(104)內填充形成電子遂穿層(111)和導電溝道層(112)。

7.根據權利要求6所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

采用干法刻蝕形成貫穿所述堆疊層的公共源極槽(114)并使所述襯底(101)暴露出；在所述公共源極槽(114)內對暴露出的所述襯底(101)進行離子注入填充源極金屬，形成公共源極(109)。

8.根據權利要求6所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述將所述預設堆疊層中的犧牲層(110)替換為第一存儲柵極層(103)具體為：

采用濕法刻蝕去除所述犧牲層(110)，形成空隙結構；在所述空隙結構內利用化學氣相沉積法形成第一存儲柵極層(103)。

9.根據權利要求6所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述隔離層(102)為氧化硅層。

10.根據權利要求6所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述犧牲層(110)為氮化硅層。