[發明專利]一種Flash數據寫入方法及裝置有效
| 申請號: | 202010859577.3 | 申請日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN111966524B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 鐘金;張輝;羅祥君 | 申請(專利權)人: | 深圳三地一芯電子有限責任公司 |
| 主分類號: | G06F11/10 | 分類號: | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司: | 廣東良馬律師事務所 44395 | 代理人: | 張柯 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區坂田街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 flash 數據 寫入 方法 裝置 | ||
本發明公開了一種Flash數據寫入方法及裝置,該方法包括:通過第一硬件算法對Flash的品質進行檢測,判斷Flash的品質是否滿足第一硬件設備的預設的硬件要求;若檢測到Flash的品質不滿足第一硬件設備的預設的硬件要求,則將Flash參數信息寫入Flash的指定位置;通過第二硬件算法讀取Flash的指定位置的Flash參數信息,將Flash參數信息寫入第二硬件設備中。本發明實施例在第一種硬件算法上處理后如果Nand Flash品質達不到該硬件要求,則會把flash相關信息寫入flash的指定位置,第二套硬件算法直接讀出已經寫入的算法寫入到新的硬件中,耗時2?10分鐘,節省時間成本。
技術領域
本發明涉及半導體器件技術領域,尤其涉及一種Flash數據寫入方法及裝置。
背景技術
Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優點,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用。
目前市場上主流的Nand Flash糾錯算法有BCH,LDPC等等。BCH碼是一類重要的糾錯碼,它把信源待發的信息序列按固定的κ位一組劃分成消息組,再將每一消息組獨立變換成長為n(nκ)的二進制數字組,稱為碼字。LDPC碼是麻省理工學院Robert Gallager于1963年在博士論文中提出的一種具有稀疏校驗矩陣的分組糾錯碼。在設計硬件上為了成本通常只會設計一種硬件算法,針對無法確認品質的Nand Flash進行處理時,會先在其中一種算法上如采用BCH碼進行處理,一般耗時2-8小時,Nand Flash品質達不到該硬件要求則處理失敗,失敗后會在另一個算法如采用上LDPC碼再次處理,耗時2-8小時,這樣就會使用兩倍的時間,從而造成糾錯時間長,增加時間成本。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種Flash數據寫入方法及裝置,旨在解決現有技術中Nand Flash糾錯算法糾錯時間長,增加時間成本的技術問題。
本發明的技術方案如下:
一種Flash數據寫入方法,所述方法包括:
通過第一硬件算法對Flash的品質進行檢測,判斷Flash的品質是否滿足第一硬件設備的預設的硬件要求;
若檢測到Flash的品質不滿足第一硬件設備的預設的硬件要求,則將Flash參數信息寫入Flash的指定位置;
通過第二硬件算法讀取Flash的指定位置的Flash參數信息,將Flash參數信息寫入第二硬件設備中。
進一步地,所述若檢測到Flash的品質不滿足第一硬件設備的預設的硬件要求,則將Flash參數信息寫入Flash的指定位置,包括:
若檢測到Flash的品質不滿足第一硬件設備的預設的硬件要求,則將Flash參數信息進行加擾處理后生成加擾數據,將加擾數據寫入Flash的指定位置。
進一步優選地,所述將Flash參數信息進行加擾處理后生成加擾數據,將加擾數據寫入Flash的指定位置,包括:
通過隨機數字生成器對Flash參數信息進行加擾處理生成加擾數據;
對加擾數據進行ecc編碼生成編碼后的加擾數據,將編碼后的加擾數據通過USB接口寫入Flash的指定位置。
進一步優選地,所述通過第二硬件算法讀取Flash的指定位置的Flash參數信息,將Flash參數信息寫入第二硬件設備中,包括:
通過第二硬件算法讀取Flash的指定位置的編碼后的加擾數據,對編碼后的加擾數據進行ecc解碼,將解碼后的加擾數據發送給隨機數字生成器;
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