[發(fā)明專利]阻變存儲器及其保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010859320.8
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112017715B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃天輝;陳瑞隆;李淡;黃永宏
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 廈門創(chuàng)象知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35232
• 代理人: 尤懷成

1.一種阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，所述保護(hù)電路對應(yīng)所述阻變存儲器的Forming/Set通路設(shè)置，所述保護(hù)電路包括：

可控開關(guān)單元，所述可控開關(guān)單元的第一端連接到相應(yīng)阻變存儲單元的地線，所述可控開關(guān)單元的第二端接地；

比較單元，所述比較單元的輸出端與所述可控開關(guān)單元的控制端相連，所述比較單元在所述相應(yīng)阻變存儲單元被施加Forming/Set操作的直流電壓時控制所述可控開關(guān)單元導(dǎo)通，以使所述相應(yīng)阻變存儲單元由高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變，并在所述相應(yīng)阻變存儲單元完成由高阻態(tài)轉(zhuǎn)變到低阻態(tài)的瞬間控制所述可控開關(guān)單元關(guān)斷，以關(guān)斷所述Forming/Set通路。

2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，還包括電流鏡單元，所述電流鏡單元連接在所述可控開關(guān)單元的第二端與地之間，所述電流鏡單元用于對所述Forming/Set通路的電流進(jìn)行限制以決定所述相應(yīng)阻變存儲單元在低阻態(tài)時的阻值。

3.如權(quán)利要求2所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，所述可控開關(guān)單元包括第一MOS管，所述第一MOS管的柵極作為所述可控開關(guān)單元的控制端，所述第一MOS管的漏極作為所述可控開關(guān)單元的第一端，所述第一MOS管的源極作為所述可控開關(guān)單元的第二端。

4.如權(quán)利要求3所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，所述比較單元包括比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第一MOS管的漏極相連，所述比較器的第二輸入端連接到參考電壓提供端，所述比較器的輸出端與所述第一MOS管的柵極相連。

5.如權(quán)利要求3所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，所述電流鏡單元包括：

偏置電流源；

第二MOS管，所述第二MOS管的源極接地，所述第二MOS管的漏極與所述第一MOS管的源極相連，所述第二MOS管的柵極連接到所述偏置電流源；

第三MOS管，所述第三MOS管的源極接地，所述第三MOS管的柵極與所述第二MOS管的柵極相連，所述第三MOS管的漏極與所述第三MOS管的柵極相連后連接到所述偏置電流源。

6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，所述Forming/Set通路中的選通晶體管連接在所述可控開關(guān)單元的第一端與所述相應(yīng)阻變存儲單元的地線之間，其中，所述選通晶體管用于選擇所述相應(yīng)阻變存儲單元進(jìn)行Forming/Set操作。

7.如權(quán)利要求6所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，所述相應(yīng)阻變存儲單元包括多個阻變存儲模塊，所述多個阻變存儲模塊共用位線和地線，以便同時進(jìn)行Forming/Set操作。

8.如權(quán)利要求7所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，其特征在于，每個所述阻變存儲模塊包括阻變元件和控制晶體管，所述阻變元件的一端連接到同一位線，所述阻變元件的另一端與所述控制晶體管的第一端相連，所述控制晶體管的控制端連接到相應(yīng)字線，所述控制晶體管的第二端連接到同一地線。

9.一種阻變存儲器，其特征在于，包括：

多個阻變存儲單元；

多個如權(quán)利要求1-8中任一項所述的阻變存儲器的保護(hù)電路，每個所述保護(hù)電路對應(yīng)一個阻變存儲單元設(shè)置，以對進(jìn)行Forming/Set操作的相應(yīng)阻變存儲單元進(jìn)行保護(hù)。

10.如權(quán)利要求9所述的阻變存儲器，其特征在于，多個所述阻變存儲單元呈陣列的形式進(jìn)行排布。