[發(fā)明專利]微機電系統(tǒng)磁阻傳感器、傳感器單體及電子設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010858561.0 | 申請日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN112014778A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄒泉波;冷群文;丁凱文;趙海輪;安琪;周汪洋;王喆;宋青林 | 申請(專利權)人: | 歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/09 | 分類號: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 吳秀娥 |
| 地址: | 266101 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微機 系統(tǒng) 磁阻 傳感器 單體 電子設備 | ||
本說明書實施例提供了一種微機電系統(tǒng)磁阻傳感器、傳感器單體及電子設備。該微機電系統(tǒng)磁阻傳感器包括:第一支撐件;第一磁阻,設置在第一支撐件上,以及第一磁阻的第一釘扎方向是X方向;第二支撐件;磁場形成元件,設置在第二支撐件上,并形成施加于第一磁阻的磁場,其中,在待感測物理量的作用下,第一支撐件相對于第二支撐件移動,以產(chǎn)生感測信號,以及第二支撐件相對于第一支撐件移動的方向是Z方向,其中,在靜態(tài)工作狀態(tài)下,磁場形成元件施加于第一磁阻的磁場具有Y方向的偏置磁場分量。
技術領域
本說明書涉及微機電系統(tǒng)磁阻傳感器技術領域,更具體地,涉及一種微機電系統(tǒng)磁阻傳感器、傳感器單體及電子設備。
背景技術
磁阻的阻值可以隨著所施加的磁場的變化而變化。例如,可以將磁阻設置在磁場中。當磁阻的位置發(fā)生變化時,施加到磁阻磁場發(fā)生變化,從而導致磁阻的阻值變化。通過設置磁阻及磁場形成元件,可以檢測各種物理量。
諸如巨磁阻、隧穿磁阻的磁阻包括自由層、間隔層和釘扎層。根據(jù)這種磁阻的工作原理,通過改變自由層相對于釘扎層的釘扎方向的磁化方向,可以改變磁阻的阻值大小。
圖1示出了一種磁阻和電流導線的設置方式。在圖1所示的情況下,電流導線11和磁阻12已經(jīng)被設置為工作狀態(tài),但是,沒有向磁阻和電流導線施加物理作用。電流導線11作為磁場形成元件并形成施加到磁阻12的磁場。電流導線11所產(chǎn)生的磁場符合右手螺旋法則。在圖1中的坐標軸包括X、Y、Z軸。電流導線11和磁阻12都位于XY平面內。電流導線11中的電流方向如箭頭13所指示的那樣。在這種情況下,電流導線11施加在磁阻12上的磁場是垂直于XY平面的并沿Z軸負方向的。磁阻12的釘扎方向是X軸正方向。當施加物理作用時,電流導線11和磁阻12可以相對于彼此沿Z軸移動。此時,施加在磁阻12上的磁場產(chǎn)生X軸方向的分量,從而改變磁阻11的阻值。
圖2示出了一種磁阻和永磁體的設置方式。在圖2所示的情況下,永磁體21和磁阻23、24已經(jīng)被設置為工作狀態(tài),但是,沒有向磁阻和永磁體施加物理作用。永磁體21內部的磁場方向沿Z軸正方向,如箭頭22所示。永磁體21和磁阻23、24均位于XY平面內。在這種情況下,永磁體21施加在磁阻23、24上的磁場是垂直于XY平面的并沿Z軸負方向的。磁阻23、24的釘扎方向均是X軸正方向。當施加物理作用時,永磁體21和磁阻23、24可以相對于彼此沿Z軸移動。此時,施加在磁阻23、24上的磁場產(chǎn)生X軸方向的分量,從而改變磁阻23、24的阻值。
發(fā)明內容
本說明書的實施例提供用于微機電系統(tǒng)磁阻傳感器的新技術方案。
根據(jù)本說明書的第一方面,提供了一種微機電系統(tǒng)磁阻傳感器,包括:第一支撐件;第一磁阻,設置在第一支撐件上,以及第一磁阻的第一釘扎方向是X方向;第二支撐件;磁場形成元件,設置在第二支撐件上,并形成施加于第一磁阻的磁場,其中,在待感測物理量的作用下,第一支撐件相對于第二支撐件移動,以使得磁場形成元件施加于第一磁阻的磁場發(fā)生變化,從而改變第一磁阻的阻值,由此產(chǎn)生感測信號,以及第二支撐件相對于第一支撐件移動的方向是Z方向,其中,X方向和Z方向所構成的平面是XZ平面,Y方向垂直于XZ平面,其中,在靜態(tài)工作狀態(tài)下,磁場形成元件施加于第一磁阻的磁場具有Y方向的偏置磁場分量。
根據(jù)本說明書的第二方面,提供了一種傳感器單體,包括單體外殼、根據(jù)實施例所述的微機電系統(tǒng)磁阻傳感器以及集成電路芯片,其中,所述微機電系統(tǒng)磁阻傳感器以及集成電路芯片被設置在所述單體外殼中。
根據(jù)本說明書的第三方面,提供了一種電子設備,包括根據(jù)實施例的傳感器單體。
在不同實施例中,通過設置Y方向的偏置磁場分量,可以防止磁阻在靜態(tài)工作狀態(tài)下處于隨機磁化狀態(tài)。
應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本說明書實施例。
此外,本說明書實施例中的任一實施例并不需要達到上述的全部效果。
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