[發(fā)明專利]光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、光刻對(duì)準(zhǔn)方法以及半導(dǎo)體器件制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010858492.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111916427A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王哲忠;葉峻瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L21/027
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，包括：

位于襯底上的前層結(jié)構(gòu)，所述前層結(jié)構(gòu)中形成有沿第一方向相互平行且間隔排列的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；

位于所述前層結(jié)構(gòu)上的覆蓋結(jié)構(gòu)，所述覆蓋結(jié)構(gòu)中形成有多個(gè)沿第二方向相互平行的條形開(kāi)口，其中，所述第一方向與所述第二方向不同，所述條形開(kāi)口的延伸方向與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向呈夾角，且所述條形開(kāi)口與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部分重疊，以使得所述條形開(kāi)口與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的重疊部分作為光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述條形開(kāi)口的延伸方向與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向呈夾角，包括：所述條形開(kāi)口的延伸方向與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向垂直。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述多個(gè)沿第二方向相互平行的條形開(kāi)口，包括：在所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向上開(kāi)口寬度相同的多個(gè)相互平行的條形開(kāi)口。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述多個(gè)沿第二方向相互平行的條形開(kāi)口，包括：在所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向上開(kāi)口寬度不相同的多個(gè)相互平行的條形開(kāi)口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述覆蓋結(jié)構(gòu)包括高反射層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，所述高反射層包括多晶硅層或高反射率金屬層。

7.一種光刻對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，包括：

在形成有沿第一方向排列的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的前層結(jié)構(gòu)上沉積覆蓋結(jié)構(gòu)，在所述覆蓋結(jié)構(gòu)上形成圖案化光致抗蝕劑層，所述圖案化光致抗蝕劑層包括有沿第二方向相互平行的多個(gè)條形開(kāi)口，其中，所述第一方向與所述第二方向不同，所述條形開(kāi)口的延伸方向與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向呈夾角；

基于所述圖案化光致抗蝕劑層蝕刻所述覆蓋結(jié)構(gòu)，以在所述覆蓋結(jié)構(gòu)中形成多個(gè)條形開(kāi)口，其中，所述條形開(kāi)口的延伸方向與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向呈夾角，所述條形開(kāi)口與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部分重疊；

以所述條形開(kāi)口與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的重疊部分作為光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，基于所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行后續(xù)工藝的光刻對(duì)準(zhǔn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述覆蓋結(jié)構(gòu)上形成圖案化光致抗蝕劑層包括：

在所述覆蓋結(jié)構(gòu)上沉積光致抗蝕劑層；

在所述光致抗蝕劑層上形成相互平行的多個(gè)條形開(kāi)口，所述條形開(kāi)口的延伸方向與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向垂直。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述光致抗蝕劑層上形成相互平行的多個(gè)條形開(kāi)口，包括：

在所述光致抗蝕劑層上形成相互平行并且在所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向上開(kāi)口寬度相同的多個(gè)條形開(kāi)口。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述光致抗蝕劑層上形成相互平行的多個(gè)條形開(kāi)口，包括：

在所述光致抗蝕劑層上形成相互平行并且在所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的延伸方向上開(kāi)口寬度不相同的多個(gè)條形開(kāi)口。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在形成有沿第一方向排列的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的前層結(jié)構(gòu)上沉積覆蓋結(jié)構(gòu)，包括：

在形成有沿第一方向排列的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的前層結(jié)構(gòu)上沉積多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括至少一層高反射層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在形成有沿第一方向排列的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的前層結(jié)構(gòu)上沉積多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)至少包括一層高反射層，包括：

在形成有沿第一方向排列的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的前層結(jié)構(gòu)上沉積多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括至少一層多晶硅層或高反射率金屬層。