[發明專利]存儲器控制器及其操作方法

在審

• 申請號: 202010856795.1
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN113110798A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 樸炯燮;安致昱
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 傅遠

本公開的實施例涉及存儲器控制器及其操作方法。本技術涉及一種電子設備。在對目標塊執行操作之后，存儲器控制器指令對共享塊執行偽讀取操作。控制包括多個存儲器塊的存儲器設備的存儲器控制器可以包括閃存轉換層，其將從主機接收的邏輯塊地址轉換為物理塊地址并且生成關于轉換后的物理塊地址的轉換信息；以及偽讀取控制器，其被配置為基于接收的請求和轉換信息來在對多個存儲器塊中的目標塊執行與從主機接收的請求相對應的操作之后，向存儲器設備輸出偽讀取命令以對與目標塊一起選擇的共享塊執行偽讀取操作。

相關申請的交叉引用

本申請根據35U.S.C.§119(a)要求于2020年1月10日提交的韓國專利申請第10-2020-0003726號的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及一種電子設備，更具體地，涉及一種存儲器控制器及其操作方法。

背景技術

存儲設備在諸如計算機、智能電話或智能平板電腦之類的主機設備的控制下存儲數據。存儲設備可以是將數據存儲在諸如硬盤驅動器(HDD)之類的磁盤中的類型，或將數據存儲在諸如固態驅動器(SSD)之類的半導體存儲器或存儲卡，特別是非易失性存儲器中的類型。

存儲設備可以包括其中存儲數據的存儲器設備和在該存儲器設備中存儲數據的存儲器控制器。該存儲器設備可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。本文中，非易失性存儲器的示例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EPM)、閃存、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等。

發明內容

本公開的一個實施例提供了一種存儲器控制器及其操作方法，該存儲器控制器能夠在對共享塊執行操作之前對共享塊執行偽讀取操作，以便防止對在對目標塊執行編程操作、讀取操作或擦除操作之后發生的共享塊的第一頁的讀取失敗。

根據本公開的一個實施例的存儲器控制器控制包括多個存儲器塊的存儲器設備。該存儲器控制器可以包括閃存轉換層，其將從主機接收到的邏輯塊地址轉換為物理塊地址，并且生成關于轉換后的物理塊地址的轉換信息；以及偽讀取控制器，其被配置為在對多個存儲器塊中的目標塊執行了與從主機接收的請求相對應的操作之后，基于接收的請求和轉換信息向存儲器設備輸出對與目標塊一起選擇的共享塊執行偽讀取操作的偽讀取命令。

根據本公開的一個實施例的操作存儲器控制器的方法是一種操作控制包括多個存儲器塊的存儲器設備的存儲器控制器的方法。該方法可以包括：從主機接收請求以及與該請求相對應的邏輯塊地址；輸出與從主機接收的請求相對應的命令和通過轉換該邏輯塊地址而獲得的物理塊地址；生成關于轉化后的物理塊地址的信息，并且在對多個存儲器塊中的目標塊執行與從主機接收的請求相對應的操作之后，基于接收的請求和轉換信息向存儲器設備輸出用于與目標塊一起選擇的共享塊的偽讀取命令。

所公開技術的一個實施例可以提供一種控制器的操作方法。該操作方法可以包括：控制存儲器設備以對目標塊或目標塊內的至少一定數目的頁執行目標操作，該存儲器設備包括一個或多個平面，每個平面包括各自包括多個頁的塊；以及控制存儲器設備以在目標操作之后立即對一個或多個平面內的目標塊與一個或多個共享塊中的至少一個執行偽讀取操作，其中以讀取電壓水平執行偽讀取操作以接通共享塊內的所有存儲器單元。

根據本技術，在對目標塊執行編程操作、讀取操作或擦除操作之后，對共享塊執行偽讀取操作。因此，對共享塊中包括的存儲器單元所連接到的串的通道進行初始化，從而可以防止共享塊的第一頁讀取失敗。

附圖說明

圖1是圖示了存儲設備的框圖。

圖2是圖示了圖1的存儲器設備的結構的圖。

圖3是圖示了存儲器塊的圖。