[發(fā)明專利]一種高機(jī)械強(qiáng)度的陣列式柔性壓力傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010855375.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112014007B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高成臣;王捷;劉云飛;常文涵;孟凡瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01L1/20 | 分類號(hào): | G01L1/20;G01L1/22;G01L9/00;G01L9/04 |
| 代理公司: | 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11360 | 代理人: | 王巖 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 機(jī)械 強(qiáng)度 陣列 柔性 壓力傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層,其特征在于,所述基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層包括:聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜、上黏附層、下黏附層、上金屬層和下金屬層;其中,聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜包括聚酰亞胺PI和碳黑CB,將CB顆粒添加到聚酰胺酸PAA溶液中,攪拌溶液均勻得到CB/PAA混合溶液;對(duì)CB/PAA混合溶液進(jìn)行超聲振動(dòng),真空抽氣;CB/PAA混合溶液涂覆在基板上,對(duì)基板逐級(jí)升溫固化,使CB/PAA混合溶液發(fā)生熱亞胺化反應(yīng),轉(zhuǎn)化為聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜,將聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜從基板上剝離下來(lái),從而獲得聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜;在聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的上表面和下表面分別淀積上黏附層和下黏附層;在上黏附層和下黏附層的表面分別淀積上金屬層和下金屬層,形成復(fù)合結(jié)構(gòu);對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行裁剪,形成多個(gè)小尺寸的聚酰亞胺摻雜碳黑單元,從而作為敏感層;在聚酰亞胺中摻入適量濃度的碳黑,聚酰亞胺內(nèi)部形成碳黑顆粒組成的導(dǎo)電通道,聚酰亞胺呈現(xiàn)導(dǎo)體狀態(tài),碳黑顆粒的摻雜濃度越高,形成的導(dǎo)電通道的數(shù)量也越多;增加碳黑顆粒的摻雜濃度,從而減小聚酰亞胺的電阻,提高其導(dǎo)電特性;當(dāng)聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜受到壓力作用時(shí),由于受到壓應(yīng)力而產(chǎn)生形變,形變量為負(fù)值,聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜被壓縮,內(nèi)部的碳黑顆粒,跟隨聚酰亞胺的鏈狀結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng),因此碳黑顆粒間距也減小,碳黑顆粒間的電阻下降,聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜在宏觀層面表現(xiàn)為總電阻減小;根據(jù)壓力會(huì)影響薄膜內(nèi)部的碳黑顆粒間距,從而影響聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的導(dǎo)電特性,測(cè)量基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層的導(dǎo)電特性,從而得到敏感層所受壓力的大小。
2.如權(quán)利要求1所述的基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層,其特征在于,CB顆粒的單個(gè)顆粒直徑小于300nm;CB顆粒的質(zhì)量與PAA溶液的溶質(zhì)質(zhì)量的比例為8wt%~20wt%;涂覆的CB/PAA混合溶液的厚度為0.5~2mm;聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的厚度為50~150μm。
3.一種基于聚酰亞胺摻雜碳黑的陣列式柔性壓力傳感器,其特征在于,所述陣列式柔性壓力傳感器包括:基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層、上層襯底、下層襯底、行導(dǎo)線、列導(dǎo)線、上接觸電極、下接觸電極、行引出電極、列引出電極以及信號(hào)調(diào)理電路;其中,所述基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層包括聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜、上黏附層、下黏附層、上金屬層和下金屬層;聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜包括聚酰亞胺PI和碳黑CB,將CB顆粒添加到聚酰胺酸PAA溶液中,攪拌溶液均勻得到CB/PAA混合溶液;對(duì)CB/PAA混合溶液進(jìn)行超聲振動(dòng),真空抽氣;CB/PAA混合溶液涂覆在基板上,對(duì)基板逐級(jí)升溫固化,使CB/PAA混合溶液發(fā)生熱亞胺化反應(yīng),轉(zhuǎn)化為聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜,將聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜從基板上剝離下來(lái),從而獲得聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜;在聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的上表面和下表面分別淀積上黏附層和下黏附層;在上黏附層和下黏附層的表面分別淀積上金屬層和下金屬層,形成復(fù)合結(jié)構(gòu);對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行裁剪,形成多個(gè)小尺寸的聚酰亞胺摻雜碳黑單元,從而作為敏感層;在聚酰亞胺中摻入適量濃度的碳黑,聚酰亞胺內(nèi)部形成碳黑顆粒組成的導(dǎo)電通道,聚酰亞胺呈現(xiàn)導(dǎo)體狀態(tài),碳黑顆粒的摻雜濃度越高,形成的導(dǎo)電通道的數(shù)量也越多;增加碳黑顆粒的摻雜濃度,從而減小聚酰亞胺的電阻,提高其導(dǎo)電特性;當(dāng)聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜受到壓力作用時(shí),由于受到壓應(yīng)力而產(chǎn)生形變,形變量為負(fù)值,聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜被壓縮,內(nèi)部的碳黑顆粒,跟隨聚酰亞胺的鏈狀結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng),因此碳黑顆粒間距也減小,碳黑顆粒間的電阻下降,聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜在宏觀層面表現(xiàn)為總電阻減??;根據(jù)壓力影響薄膜內(nèi)部的碳黑顆粒間距,從而影響聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的導(dǎo)電特性,測(cè)量基于聚酰亞胺摻雜碳黑復(fù)合薄膜的敏感層的導(dǎo)電特性,從而得到敏感層所受壓力的大小;對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行裁剪,得到多個(gè)小尺寸的聚酰亞胺摻雜碳黑單元;多個(gè)聚酰亞胺摻雜碳黑單元排列成周期性的CB/PI二維陣列;分別在上層襯底和下層襯底的表面形成嵌入至內(nèi)部的多條行導(dǎo)線和列導(dǎo)線,每一條行導(dǎo)線對(duì)應(yīng)于CB/PI二維陣列的一行,每一條列導(dǎo)線對(duì)應(yīng)于CB/PI二維陣列的一列;分別在上層襯底和下層襯底的表面形成暴露在表面且位于行導(dǎo)線和列導(dǎo)線上的多個(gè)上接觸電極和下接觸電極,每一個(gè)上接觸電極和下接觸電極分別對(duì)應(yīng)CB/PI二維陣列的一個(gè)聚酰亞胺摻雜碳黑單元;每一條行導(dǎo)線和每一條列導(dǎo)線分別連接至相應(yīng)的行引出電極和列引出電極;上層襯底、行導(dǎo)線、上接觸電極和行引出電極構(gòu)成上襯底層,下層襯底、列導(dǎo)線、下接觸電極和列引出電極構(gòu)成下襯底層;上襯底層和下襯底層分別對(duì)準(zhǔn)粘接CB/PI二維陣列上下表面,每一個(gè)上接觸電極和下接觸電極分別粘接在一個(gè)聚酰亞胺摻雜碳黑單元的上表面和下表面,每一條行導(dǎo)線連接CB/PI二維陣列一行上的聚酰亞胺摻雜碳黑單元,每一條列導(dǎo)線連接CB/PI二維陣列一列上的聚酰亞胺摻雜碳黑單元;每一個(gè)行引出電極和列引出電極分別連接到信號(hào)調(diào)理電路相應(yīng)的行選通電路的端口和列選通電路的端口;通過(guò)行掃描以及列掃描的方式,利用信號(hào)調(diào)理電路,依次對(duì)每一條行導(dǎo)線和列導(dǎo)線通電,位于行列交叉點(diǎn)的每一個(gè)聚酰亞胺摻雜碳黑單元被依次選通,從而檢測(cè)出CB/PI二維陣列中每一個(gè)聚酰亞胺摻雜碳黑單元的電學(xué)特性及其所在的位置,獲得外界施加的壓力大小及壓力分布情況。
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G01L 測(cè)量力、應(yīng)力、轉(zhuǎn)矩、功、機(jī)械功率、機(jī)械效率或流體壓力
G01L1-00 力或應(yīng)力的一般計(jì)量
G01L1-02 .利用液壓或氣動(dòng)裝置
G01L1-04 .通過(guò)測(cè)量量規(guī)的彈性變形,例如,彈簧的變形
G01L1-06 .通過(guò)測(cè)量量規(guī)的永久變形,例如,測(cè)量被壓縮物體的永久變形
G01L1-08 .利用力的平衡
G01L1-10 .通過(guò)測(cè)量受應(yīng)力的振動(dòng)元件的頻率變化,例如,受應(yīng)力的帶的
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