[發明專利]一種射頻模組散熱工藝

有效

• 申請號: 202010855285.2
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN111968919B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 馮光建;高群;黃雷;顧毛毛;郭西
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/473;H05K3/30
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種射頻模組散熱工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(a)、提供襯底，襯底具有相對應的襯底正面和襯底背面，用光刻和干法刻蝕的方式在襯底正面制作側壁互聯凹槽，側壁互聯凹槽填充金屬形成側壁焊盤，然后在襯底正面制作TSV導電柱、RDL和互聯焊盤，形成第一襯底；

(b)、對襯底正面做臨時鍵合，并減薄襯底背面，然后在襯底背面制作側壁互聯凹槽，側壁互聯凹槽填充金屬形成側壁焊盤，形成第二襯底；

(c)、在襯底背面干法刻蝕凹槽，使TSV導電柱背面露頭，沉積鈍化層，然后通過光刻和干法刻蝕工藝使TSV導電柱頂部金屬露出，形成第三襯底；

(d)、在第三襯底背面凹槽嵌入芯片，并將芯片和凹槽之間的縫隙填充，然后在襯底背面制作RDL和互聯焊盤，形成第四襯底；

(e)、提供PCB板和散熱導管，拆第四襯底正面的臨時鍵合，切割第四襯底成單一模組，在模組背面貼裝帶有微流控的散熱導管，以散熱導管為支撐，將模組的側壁焊盤和PCB板一側的互聯焊盤做貼片，散熱導管內充入循環液體做散熱，得到具有散熱能力的射頻模組。

2.如權利要求1所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述步驟（a）具體為：

(a1)、在襯底上形成側壁互聯凹槽，并在襯底上沉積第一絕緣層，在第一絕緣層上方制作第一種子層，電鍍銅使銅充滿側壁互聯凹槽形成側壁焊盤，去除襯底表面的銅，使襯底表面只剩下側壁互聯凹槽的銅；

(a2)、通過光刻和刻蝕工藝在襯底正面制作TSV深孔；

(a3)、在襯底正面沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上制作第二種子層；

(a4)、電鍍銅，使銅金屬充滿TSV深孔，去除襯底表面的銅，使襯底表面只剩下TSV深孔的銅形成TSV導電柱；

(a5)、在第二絕緣層上制作第三種子層，光刻定義RDL和焊盤位置，電鍍做出RDL和互聯焊盤。

3.如權利要求2所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述步驟（a）第一絕緣層、第二絕緣層的材質均為氧化硅或氮化硅，厚度為0.01um～100um；所述第一種子層、第二種子層和第三種子層厚度為0.001um～100um，所述第一種子層、第二種子層和第三種子層材質選自鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳的一種；所述側壁互聯凹槽長和寬均為1um～1000um，深度為10um～1000um。

4.如權利要求1所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述步驟（c）凹槽深度為10um～1000um。

5.如權利要求1或2所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述互聯焊盤的材質選自鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳的一種。

6.如權利要求1所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述步驟（e）散熱導管包括第一直管、過渡管和第二直管，所述第一直管頂端封閉，所述第二直管頂端設置進出液口。

7.如權利要求1所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述散熱導管為直管，所述直管頂端設置進出液口，底端封閉。

8.如權利要求6或7所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述散熱導管厚度為10um～10000um，所述散熱導管內設置微流道，微流道厚度1um～1000um，散熱導管內部形成循環管道。

9.如權利要求1所述的射頻模組散熱工藝，其特征在于，所述步驟（e）PCB板另一側貼裝天線。