[發明專利]一種像素結構、顯示面板及掩膜版組在審
| 申請號: | 202010851969.5 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN111969018A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 趙瑩;周麗芳;李偉麗;李慧;劉明星;甘帥燕 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 結構 顯示 面板 掩膜版組 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:
多個第一像素單元和多個第二像素單元,每個所述第一像素單元均包括第一子像素,每個所述第二像素單元均包括與所述第一子像素顏色相同的第二子像素;
所述第一像素單元和所述第二像素單元沿第一方向交替設置,所述第一子像素和所述第二子像素在所述第一方向上依次排列,所述第一子像素的形狀與相鄰的所述第二子像素的形狀拼接成具有第一公共邊的第一圖形;
所述第一像素單元和所述第二像素單元沿第二方向交替設置,所述第一方向與所述第二方向的夾角為銳角。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,每個所述第一像素單元的所述第一子像素為兩個,兩個所述第一子像素在所述第一方向上相對設置;每個所述第二像素單元的所述第二子像素為兩個,兩個所述第二子像素在所述第一方向上相對設置。
3.根據權利要求2所述的像素結構,其特征在于,所述第一像素單元包括在第三方向上相對設置的第三子像素和第四子像素,所述第三子像素的形狀和所述第四子像素的形狀拼接成具有第二公共邊的第二圖形,兩個所述第一子像素分別設置在所述第二圖形的兩側;
所述第二像素單元包括在所述第三方向上相對設置的第五子像素和第六子像素,所述第五子像素的形狀和所述第六子像素的形狀拼接成具有第三公共邊的第三圖形,兩個所述第二子像素分別設置在所述第三圖形的兩側。
4.根據權利要求3所述的像素結構,其特征在于,所述第三子像素的顏色與所述第五子像素的顏色相同,所述第四子像素與所述第六子像素的顏色相同;
所述第三子像素與所述第六子像素、所述第四子像素與所述第五子像素均沿所述第一方向交替排列,所述第三子像素的形狀與在所述第三方向上相鄰的所述第五子像素的形狀拼接成具有第四公共邊的第四圖形;所述第四子像素的形狀與在所述第三方向上相鄰的所述第六子像素的形狀拼接成具有第五公共邊的第五圖形。
5.根據權利要求3所述的像素結構,其特征在于,所述第三子像素與所述第四子像素的形狀相同;
優選地,所述第三子像素與所述第五子像素的形狀相同。
6.根據權利要求5所述的像素結構,其特征在于,所述第五子像素與所述第六子像素的形狀相同;
優選地,所述第一子像素的形狀為等腰直角三角形,所述第三子像素、所述第四子像素、所述第五子像素以及所述第六子像素的形狀均為五邊形。
7.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述第一子像素與所述第二子像素的形狀相同;
優選地,所述第一子像素的形狀包括三角形、半圓形、梯形中的任意一種。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板、以及設置于所述基板上的如權利要求1-7中任一項所述的像素結構。
9.一種掩膜板組,其特征在于,所述掩膜版組用于蒸鍍如權利要求1-7中任一所述的像素結構,所述掩膜版組包括:
第一掩膜板,包括多個第一開口,所述第一開口用于形成在第一方向上依次排列的第一子像素和第二子像素,所述第一子像素與相鄰的所述第二子像素的形狀拼接成具有第一公共邊的第一圖形,所述第一開口的形狀與第一圖形的形狀相同。
10.根據權利要求9所述的掩膜板組,其特征在于,所述像素結構包括與所述第一子像素共同形成第一像素單元的第三子像素和第四子像素、與所述第二子像素共同形成第二像素單元的第五子像素和第六子像素,所述掩膜板組還包括:
第二掩膜板,包括多個第二開口,所述多個第二開口用于形成所述第三子像素和所述第五子像素,所述第三子像素的形狀與在第三方向上相鄰的所述第五子像素的形狀拼接成具有第四公共邊的第四圖形,所述第二開口的形狀與第四圖形的形狀相同;
第三掩膜板,包括多個第三開口,所述多個第三開口用于形成所述第四子像素和所述第六子像素,所述第五子像素的形狀與在第三方向上相鄰的所述第六子像素的形狀拼接成具有第五公共邊的第五圖形,所述第三開口的形狀與第五圖形的形狀相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





