[發明專利]一種用于薰衣草盆栽的介質土及培育薰衣草盆栽的方法

在審

• 申請號: 202010850680.1
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN111937711A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 陳安明
• 申請（專利權）人: 上海瀠薰農業科技有限公司
• 主分類號: A01G22/60
• 分類號: A01G22/60;A01G24/10;A01G24/15;A01G24/28
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• 代理人: 暫無信息

1.一種用于薰衣草盆栽的介質土，其特征在于，所述介質土主要由泥炭土、珍珠巖和田園土調配而成。

2.根據權利要求1所述的一種用于薰衣草盆栽的介質土，其特征在于，所述泥炭土、珍珠巖和田園土的比例為1:1:2。

3.一種培育薰衣草盆栽的方法，其特征在于，包括步驟：

S1：配制權利要求1-2所述的介質土；

S2:選擇栽種盆；

S3：基于栽種盆的尺寸挑選地栽薰衣草大苗；

S4：栽植，將薰衣草苗置入容器中間，并通過介質土使薰衣草苗穩固；

S5：后期管理，實施澆水、施肥及病蟲害防治。

4.根據權利要求3所述的一種培育薰衣草盆栽的方法，其特征在于：S1中，完成介質土的配制后，用100倍的多菌靈對介質土進行消毒。

5.根據權利要求3所述的一種培育薰衣草盆栽的方法，其特征在于：S2中，選擇口徑在19-25cm之間，深度為20-30cm之間的栽種盆。

6.根據權利要求5所述的一種培育薰衣草盆栽的方法，其特征在于：S3中，地栽薰衣草的選擇：要求須根多，株型圓潤,分枝數量控制在30個以上，株高在15-20cm之間，冠幅在20-50cm之間,且枝條健壯無病蟲害，并將根系剪至長度6-8cm。

7.根據權利要求3所述的一種培育薰衣草盆栽的方法，其特征在于：S4中，先在容器盆底鋪2-3cm厚的介質土，然后將選擇好的地栽薰衣草大苗置入容器中間，再填入介質土使大苗穩固，介質土離容器盆口的距離為5cm左右，然后澆透水、置于陽光充足的設施溫棚內。

8.根據權利要求1所述的一種培育薰衣草盆栽的方法，其特征在于：S5包括澆水，澆水時，選擇在薰衣草葉子輕微卷縮時進行澆水，且澆水后要保持盆土表面干燥，盆土內部濕潤。