[發明專利]存儲器

在審

• 申請號: 202010850618.2
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN114078488A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 尚為兵;張鳳琴;冀康靈;田凱;武賢君
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術（上海）有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;H01L27/02;H01L23/528
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王程

本發明涉及一種存儲器，包括存儲組、第一信號線和第二信號線；多個存儲組沿第一方向排布，存儲組包括存儲塊，多個存儲塊沿第二方向排布，第一方向與第二方向垂直；第一信號線沿第一方向延伸，其與多個存儲塊對應設置，且用于傳輸其對應多個存儲塊的存儲數據；第二信號線沿第一方向延伸，其與存儲塊一一對應設置，且第二信號線用于傳輸其對應存儲塊的存儲數據；其中，第一信號線通過數據交換電路與第二信號線交換存儲數據。本發明中，通過設置第一信號線將存儲數據傳輸至每一存儲塊，然后通過每一存儲塊對應的數據交換電路與第二信號線交換存儲數據，降低第二信號線的功耗，進而減小存儲塊之間的速度差異。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種存儲器。

背景技術

在現代的DRAM芯片中，隨著尺寸的逐漸變小，布線密度變得越來越大。通常情況下，將焊盤區設置在布線區的一側或存儲組的中間區域，這樣對于遠離焊盤區的存儲區會產生一定的影響，例如，當信號線為電源線時，電源線上遠離焊盤區的位置處會產生壓降或接地反彈，從而影響處于信號線遠端的存儲區的速度。

發明內容

基于此，有必要針對目前因信號傳輸距離較大而影響存儲區速度的問題，提供了一種存儲器。

本發明實施例提供了一種存儲器，包括：

存儲組，多個所述存儲組沿第一方向排布，所述存儲組包括存儲塊，多個所述存儲塊沿第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向垂直；

第一信號線，沿所述第一方向延伸，其與多個所述存儲塊對應設置，且用于傳輸其對應多個存儲塊的存儲數據；以及

第二信號線，沿所述第一方向延伸，其與所述存儲塊一一對應設置，且所述第二信號線用于傳輸其對應存儲塊的存儲數據；

其中，所述第一信號線通過數據交換電路與所述第二信號線交換所述存儲數據。

在其中一個實施例中，所述第一信號線包括多條具有相同線寬的第一金屬線，所述第二信號線包括多條具有相同線寬的第二金屬線。

在其中一個實施例中，所述第一金屬線的線寬小于所述第二金屬線的線寬

在其中一個實施例中，兩條所述第一金屬線之間的間距大于兩條所述第二金屬線之間的間距。

在其中一個實施例中，所述存儲器還包括電源線和接地線，于所述第一信號線的兩側布置所述電源線或接地線，于所述第二信號線的兩側布置所述電源線或接地線。

在其中一個實施例中，所述存儲器還包括頂層金屬層，所述頂層金屬層中設置有所述第一信號線、所述第二信號線、所述電源線和所述接地線。

在其中一個實施例中，所述存儲器還包括次頂層金屬層，所述次頂層金屬層中也設置有所述電源線或所述接地線，所述電源線或所述接地線在所述次頂層金屬層中沿所述第一方向和所述第二方向均有排布。

在其中一個實施例中，在所述次頂層金屬層中，沿所述第二方向排布的所述電源線或所述接地線位于所述存儲組正上方，且位于所述存儲組中間和平行于所述第二方向的兩個邊緣。

在其中一個實施例中，沿所述第一方向排布的所述電源線位于沿所述第二方向排布的所述電源線之間，或沿所述第一方向排布的所述接地線位于沿所述第二方向排布的所述接地線之間。

在其中一個實施例中，所述存儲器還包括通道數據總線，所述通道數據總線與所述第一信號線通過通道數據交換電路交換所述存儲數據。

在其中一個實施例中，所述通道數據總線于遠離所述存儲組的一側布置。

在其中一個實施例中，所述存儲組為n個，所述第二信號線的個數是所述第一信號線的個數的m倍，其中所述m和所述n均為正整數。