[發(fā)明專利]硅晶圓激光標記方法、系統(tǒng)及計算機設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010850008.2
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN114074223A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林家新;焦波;溫堯明;謝圣君;呂啟濤;高云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司
• 主分類號: B23K26/362
• 分類號: B23K26/362;B23K26/382;H01L21/67
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務(wù)所(普通合伙) 44325
• 代理人: 黃章輝

本發(fā)明公開了一種硅晶圓激光標記方法、系統(tǒng)及計算機設(shè)備，所述方法包括：獲取待打標圖檔；令綠光激光器采用第一激光參數(shù)發(fā)射綠光激光，并通過發(fā)射的綠光激光根據(jù)待打標圖檔在硅晶圓材料上的待打標位置進行預加工打標，以在待打標位置打標出微孔圖文；微孔圖文由預設(shè)數(shù)量的預加工深度的微孔組成；令綠光激光器采用第二激光參數(shù)發(fā)射綠光激光，并通過發(fā)射的綠光激光根據(jù)待打標圖檔對微孔圖文進行二次打標，以在無粉塵顆粒環(huán)境下打標出與待打標圖檔對應(yīng)的標記圖文，標記圖文由深度為預設(shè)深度的微孔組成。本發(fā)明靈活性高、無污染且穩(wěn)定性好，且打標圖文中的微孔外觀清晰，無顆粒粉塵污染，也不易被掩蓋，保證了標記圖文的可識別性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及激光加工領(lǐng)域，具體涉及一種硅晶圓激光標記方法、系統(tǒng)及計算機設(shè)備。

背景技術(shù)

硅材料是目前已知材料中廣泛應(yīng)用于半導體行業(yè)中的材料，其在半導體行業(yè)領(lǐng)域中占有極為重要的地位，廣泛應(yīng)用于集成電路、IC芯片、探測器、二極管等元器件中。隨著電子器件的微型化，多功能化和智能化，集成電路封裝器件體積向三維方向減小，制作芯片過程中為了有效的追溯制作流程，會采用激光加工技術(shù)在硅晶圓表面進行鐳射形成標識碼，進而通過該標識碼跟蹤每個硅晶圓的制造、測試等過程。現(xiàn)有技術(shù)中，采用激光在硅晶圓上進行鐳射形成統(tǒng)一標識碼之后，往往會在鐳射后標識碼周圍出現(xiàn)粉塵顆粒，導致后續(xù)制成芯片的污染；并且，鐳射后標識碼的外觀往往并不清晰，鐳射后標識碼的深度也是固定的，導致后續(xù)在硅晶圓上進行濺鍍其他材料之后，鐳射后標識碼不易被表面處理，進而導致對該標識碼識別容易出錯。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種硅晶圓激光標記方法、系統(tǒng)及計算機設(shè)備，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鐳射后標識碼周圍出現(xiàn)粉塵顆粒、外觀不清晰和不易識別的問題。

一種硅晶圓激光標記方法，包括：

獲取待打標圖檔；所述待打標圖檔由預設(shè)數(shù)量和預設(shè)深度的待打標孔組成；

令綠光激光器采用第一激光參數(shù)發(fā)射綠光激光，并通過發(fā)射的綠光激光根據(jù)所述待打標圖檔在硅晶圓材料上的待打標位置進行預加工打標，以在所述待打標位置打標出微孔圖文；所述微孔圖文由所述預設(shè)數(shù)量的預加工深度的微孔組成；所述預加工深度小于所述預設(shè)深度；

令所述綠光激光器采用第二激光參數(shù)發(fā)射綠光激光，并通過發(fā)射的綠光激光根據(jù)所述待打標圖檔對所述微孔圖文進行二次打標，以在無粉塵顆粒環(huán)境下打標出與所述待打標圖檔對應(yīng)的標記圖文，所述標記圖文由深度為預設(shè)深度的所述微孔組成。

一種硅晶圓激光標記系統(tǒng)，包括控制器和連接所述控制器的綠光激光器；所述控制器用于執(zhí)行上述硅晶圓激光標記方法。

一種計算機設(shè)備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機可讀指令，所述處理器執(zhí)行所述計算機可讀指令時實現(xiàn)上述硅晶圓激光標記方法。

一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機可讀指令，所述計算機可讀指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述硅晶圓激光標記方法。

本發(fā)明提供的硅晶圓激光標記方法、系統(tǒng)及計算機設(shè)備，本發(fā)明在獲取待打標圖檔之后，令綠光機器光根據(jù)不同的激光參數(shù)(包括第一激光參數(shù)和第二激光參數(shù))分別完成預加工打標和二次打標，以完成對硅晶圓材料表面的不同深度的硅材料的去除；也即首先進行預加工打標形成微孔圖文，進而在微孔圖文的基礎(chǔ)上繼續(xù)二次打標形成標記圖文。并且，本發(fā)明所采用的綠光激光器穩(wěn)定性更好，可以對微孔圖文和標記圖文中的不同深度的微孔進行深度的微調(diào)，使得標記后的微孔外觀清晰，且微孔可以在無粉塵的環(huán)境下完成打標，減少了因激光鐳射而導致的硅晶片的污染，保證了后續(xù)芯片制作的清潔，進而提升了芯片質(zhì)量；并且，后續(xù)在硅晶圓上進行濺鍍其他材料之后，標記圖文也可以再次根據(jù)本發(fā)明中的硅晶圓激光標記方法進行表面處理，使得標記圖文中的微孔深度的微調(diào)可控，使得標記圖文不會被其他材料覆蓋，保證了標記圖文的可識別性。

附圖說明