[發(fā)明專利]一種基于微納光纖的pH/鹽度傳感器

在審

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• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112014356A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖建亮;張磊;馬庶祺;劉海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 之江實驗室
• 主分類號: G01N21/47
• 分類號: G01N21/47;G01N21/17
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 陳昱彤

1.一種基于微納光纖的pH/鹽度傳感器，其特征在于：包括柔性基底和柔性薄膜，還包括第一微納光纖和/或第二微納光纖，第一微納光纖的腰區(qū)涂覆有對pH敏感的第一敏感涂層，第二微納光纖的腰區(qū)涂覆有對鹽度敏感的第二敏感涂層，所述柔性薄膜與柔性基底之間設(shè)有微流控通道，第一微納光纖的腰區(qū)、第二微納光纖的腰區(qū)封裝于柔性基底與柔性薄膜之間，且所述第一敏感涂層、第二敏感涂層置于所述微流控通道中，所述柔性基底和柔性薄膜的折射率小于各微納光纖的纖芯的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一微納光纖的腰區(qū)橫跨所述微流控通道，所述第二微納光纖的腰區(qū)橫跨所述微流控通道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述微流控通道的入液口、出液口均設(shè)于柔性基底上、或者均設(shè)于柔性薄膜上、或者分設(shè)于柔性基底和柔性薄膜上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一微納光纖的過渡區(qū)封裝于柔性基底與柔性薄膜之間，所述第二微納光纖的過渡區(qū)封裝于柔性基底與柔性薄膜之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一微納光纖的未拉伸區(qū)封裝于柔性基底與柔性薄膜之間，所述第二微納光纖的未拉伸區(qū)封裝于柔性基底與柔性薄膜之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或5所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述微流控通道設(shè)有第一支通道和第二支通道，所述第一敏感涂層置于所述第一支通道中，所述第二敏感涂層置于所述第二支通道中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或5所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一敏感涂層涂覆于所述第一微納光纖的腰區(qū)的曲率最大處，所述第二敏感涂層涂覆于所述第二微納光纖的腰區(qū)的曲率最大處。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一敏感涂層涂覆于所述第一微納光纖的腰區(qū)的曲率最大處，所述第二敏感涂層涂覆于所述第二微納光纖的腰區(qū)的曲率最大處。

9.根據(jù)權(quán)利要7所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一微納光纖呈U型且其曲率最大處位于腰區(qū)，第二微納光纖呈U型且其曲率最大處位于腰區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要8所述的pH/鹽度傳感器，其特征在于：所述第一微納光纖呈U型且其曲率最大處位于腰區(qū)，第二微納光纖呈U型且其曲率最大處位于腰區(qū)。