[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010849506.5 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN112420778A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高裕敏;金東賢;沈棟*;李承澯 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 楊永良;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底;
顯示面板,包括具有第一像素的第一顯示區(qū)域、具有第二像素的第二顯示區(qū)域、以及位于所述第一顯示區(qū)域與所述第二顯示區(qū)域之間并且具有第三像素的第三顯示區(qū)域;以及
組件,設置在所述基底與所述顯示面板之間,并且在平面圖中,所述組件與所述第二顯示區(qū)域疊置,
其中,所述第一像素和所述第三像素以第一密度分別設置在所述第一顯示區(qū)域和所述第三顯示區(qū)域中,所述第二像素以比所述第一密度小的第二密度設置在所述第二顯示區(qū)域中,并且
在預定顯示時段期間,所述第三像素中的少于全部的第三像素被控制為發(fā)光。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第二顯示區(qū)域包括:
第二單元像素區(qū)域,每個第二單元像素區(qū)域由所述第二像素中的至少一個構成;以及
透射區(qū)域,布置為與所述第二單元像素區(qū)域交替,沒有第二像素設置在所述透射區(qū)域中。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第三顯示區(qū)域包括布置為彼此交替的第一組單元像素區(qū)域和第二組單元像素區(qū)域。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,在所述預定顯示時段期間,所述第一組單元像素區(qū)域和所述第二組單元像素區(qū)域兩者之一被控制為發(fā)光。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,在第一顯示時段期間,所述第一組單元像素區(qū)域被控制為發(fā)光;在所述第一顯示時段之后的第二顯示時段期間,所述第二組單元像素區(qū)域被控制為發(fā)光;并且所述預定顯示時段包括所述第一顯示時段和所述第二顯示時段。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第一顯示時段和所述第二顯示時段被截止時段分離,在所述截止時段期間所述顯示面板關閉。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第一顯示時段和所述第二顯示時段中的每者是構成一幀的時段。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一像素被控制為以第一亮度發(fā)光,所述第二像素和所述第三像素被控制為以第二亮度發(fā)光。
9.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底;
顯示面板,包括具有第一像素的第一顯示區(qū)域、具有第二像素的第二顯示區(qū)域、以及位于所述第一顯示區(qū)域與所述第二顯示區(qū)域之間并且具有第三像素的第三顯示區(qū)域;以及
組件,設置在所述基底與所述顯示面板之間,并且在平面圖中,所述組件與所述第二顯示區(qū)域疊置,
其中,所述第二顯示區(qū)域的透射率比所述第一顯示區(qū)域的透射率高,
所述第一顯示區(qū)域的所述透射率與所述第三顯示區(qū)域的透射率相等,并且
在預定顯示時段期間,所述第三像素中的少于全部第三像素被控制為發(fā)光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





