[發明專利]在包封劑與管芯焊盤或引線的界面處具有腔的半導體器件

在審

• 申請號: 202010849501.2
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112420650A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: I·H·阿雷拉諾
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種器件，包括：

管芯焊盤；

與所述管芯焊盤間隔開的引線；以及

所述管芯焊盤和所述引線上的包封劑，

其中，多個腔以一深度從所述管芯焊盤或所述引線中的至少一個的表面延伸到所述管芯焊盤或所述引線中的至少一個中，所述深度在0.5μm至5μm的范圍內，包括端值，所述包封劑延伸到所述多個腔中。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯焊盤和所述引線由銅形成。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述多個腔包括延伸到所述管芯焊盤和所述引線中的每個的側表面的腔。

4.根據權利要求3所述的器件，還包括所述引線上的鍍覆導電層，所述鍍覆導電層具有基本光滑的表面。

5.根據權利要求4所述的器件，還包括：

在所述管芯焊盤上的半導體管芯，所述半導體管芯具有與所述管芯焊盤間隔開的有源表面；以及

電耦合在所述半導體管芯的所述有源表面與所述引線上的所述鍍覆導電層之間的導線。

6.根據權利要求1所述的器件，其中，所述腔為半球形腔。

7.根據權利要求6所述的器件，其中，所述腔具有在0.25μm至1μm的范圍內的半徑，包括端值。

8.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯焊盤或所述引線中的至少一個包括第一銅層和鍍在所述第一銅層上的第二銅層，所述第二銅層具有在0.5μm至10μm的范圍內的厚度，包括端值，并且

所述多個腔延伸到所述第二銅層中。

9.根據權利要求1所述的器件，其中，所述多個腔中的每個腔具有圓形形狀，并且所述包封劑基本上填充所述多個腔中的每個腔。

10.根據權利要求1所述的器件，其中，所述包封劑是環氧塑封料。

11.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯焊盤或所述引線中的至少一個包括凹入部分，所述凹入部分從所述管芯焊盤或所述引線中的至少一個的暴露的外部部分向內延伸，并且所述包封劑延伸到所述凹入部分中。

12.一種形成半導體器件的方法，包括：

在導電襯底上形成導電層，所述導電層包括至少部分地嵌入所述導電層中的多個微結構；

通過去除所述多個微結構在所述導電層上形成多個腔；以及

使用包封材料至少部分地填充所述多個腔。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述導電襯底是銅襯底，并且形成所述導電層包括通過無電沉積在所述銅襯底上形成銅層。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，去除所述多個微結構包括將所述微結構溶解在溶劑中。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，所述微結構包括聚苯乙烯或聚二甲基硅氧烷中的至少一種，并且所述溶劑包括丙酮、二乙醚或二惡烷中的至少一種。

16.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述導電層包括將所述導電層形成為具有在0.5μm至10μm的范圍內的厚度，包括端值，并且所述腔具有小于所述導電層的所述厚度的寬度。

17.根據權利要求12所述的方法，其中，所述多個微結構中的每個微結構具有半球形形狀。