[發(fā)明專利]一種基材可分離的真空鍍膜設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010848499.7
• 申請(qǐng)日: 2020-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112030110A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉飛;劉曉萌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫愛(ài)爾華光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/22
• 分類號(hào): C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/455
• 代理公司: 無(wú)錫盛陽(yáng)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云;黃瑩

本發(fā)明提供一種基材可分離的真空鍍膜設(shè)備，其可以獲得更均勻的鍍膜效果，確保鍍膜面積內(nèi)工藝性一致。其包括：放置待鍍膜基片的基片承載盤(pán)，設(shè)置在所述基片承載盤(pán)下方的加熱器，設(shè)置于所述基片承載盤(pán)上方的電磁場(chǎng)發(fā)生裝置和工藝氣體發(fā)生裝置，所述基片承載盤(pán)與所述電磁場(chǎng)發(fā)生裝置、所述工藝氣體發(fā)生裝置之間的區(qū)域?yàn)殄兡すに噮^(qū)，其特征在于，其還包括托盤(pán)外框、升降結(jié)構(gòu)，所述基片承載盤(pán)設(shè)置于所述托盤(pán)外框上端面，所述托盤(pán)外框中心部位設(shè)置中空的托舉口，所述加熱器面積小于所述托舉口面積；所述升降結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述加熱器，經(jīng)所述托舉口托舉放置于所述基片承載盤(pán)之上的所述待鍍膜基片至所述鍍膜工藝區(qū)的電磁場(chǎng)穩(wěn)定區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基材可分離的真空鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

真空氣相沉積技術(shù)是指，在初始真空態(tài)前提下，對(duì)真空態(tài)的工藝腔室內(nèi)通入工藝氣體，然后對(duì)工藝氣體以及鍍膜襯底施加反應(yīng)條件，例如溫度、電場(chǎng)、輻射、激光等，讓工藝氣體與沉底發(fā)生理化反應(yīng)，最終在沉底上成膜。真空氣相沉積技術(shù)在工業(yè)生產(chǎn)與科學(xué)研究中有廣范的應(yīng)用，尤其在半導(dǎo)體、顯示器、光伏、LED照明、環(huán)保、高端建材、航空航天、數(shù)字通訊、光學(xué)產(chǎn)業(yè)等等眾多產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著重要，甚至是核心的作用。

然而，目前的真空氣相沉積技術(shù)中，放置待鍍膜基片的基片承載盤(pán)經(jīng)過(guò)通過(guò)導(dǎo)軌、滾輪或者其它傳輸裝置進(jìn)入鍍膜工藝腔體，然后在工藝腔體中的鍍膜區(qū)中，在電磁場(chǎng)、加熱器的共同作用下，經(jīng)工藝氣體鍍膜；然而現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行大面積鍍膜時(shí)，普遍存在鍍膜均勻性差，鍍膜面積內(nèi)工藝一致性低等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有的真空鍍膜技術(shù)中存在鍍膜均勻性差，鍍膜面積內(nèi)工藝一致性低的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種基材可分離的真空鍍膜設(shè)備，其可以獲得更均勻的鍍膜效果，確保鍍膜面積內(nèi)工藝性一致。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣的：一種基材可分離的真空鍍膜設(shè)備，其包括：放置待鍍膜基片的基片承載盤(pán)，設(shè)置在所述基片承載盤(pán)下方的加熱器，設(shè)置于所述基片承載盤(pán)上方的電磁場(chǎng)發(fā)生裝置和工藝氣體發(fā)生裝置，所述基片承載盤(pán)與所述電磁場(chǎng)發(fā)生裝置、所述工藝氣體發(fā)生裝置之間的區(qū)域?yàn)殄兡すに噮^(qū)，其特征在于，其還包括托盤(pán)外框、升降結(jié)構(gòu)，所述基片承載盤(pán)設(shè)置于所述托盤(pán)外框上端面，所述托盤(pán)外框中心部位設(shè)置中空的托舉口，所述加熱器面積小于所述托舉口面積；所述升降結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述加熱器，經(jīng)所述托舉口托舉放置于所述基片承載盤(pán)之上的所述待鍍膜基片至所述鍍膜工藝區(qū)的電磁場(chǎng)穩(wěn)定區(qū)域。

其進(jìn)一步特征在于：

所述升降結(jié)構(gòu)包括：絲桿、驅(qū)動(dòng)連接所述絲桿的伺服機(jī)構(gòu)、移動(dòng)平臺(tái)，所述移動(dòng)平臺(tái)上設(shè)置梯形螺帽，所述梯形螺帽與所述絲桿螺紋連接；所述移動(dòng)平臺(tái)通過(guò)移動(dòng)支柱連接設(shè)置于所述加熱器底部的加熱器支撐塊；

所述電磁場(chǎng)發(fā)生裝置包括：自上而下依次設(shè)置的多層電極板、電極基座，所述多層電極板、所述電極基座通過(guò)電極固定組件固定連接；

所述工藝氣體發(fā)生裝置包括：設(shè)置于所述電極基座下方的中間布?xì)獍濉⒍嗦凡細(xì)獍澹龆鄬与姌O板、所述電極基座、所述中間布?xì)獍濉⑺龆嗦凡細(xì)獍澹ㄟ^(guò)所述電極固定組件固定連接；工藝氣體導(dǎo)入口開(kāi)設(shè)在所述多層電極板上，經(jīng)所述中間布?xì)獍濉⑺龆嗦凡細(xì)獍鍖⒐に嚉怏w導(dǎo)入到所述鍍膜工藝區(qū)。