[發明專利]一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流工藝及氣路系統

在審

• 申請號: 202010848497.8
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112030141A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 葉飛;劉曉萌
• 申請（專利權）人: 無錫愛爾華光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云;黃瑩

1.一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流工藝，其特征在于，其包括以下步驟：

S1：將鍍膜區域水平劃分為N×S個鍍膜子區域；其中，N≥2，S≥2且S、N皆為正整數；

S2：將整流板分割為與所述鍍膜子區域形狀大小一一對應的獨立氣流控制區域；

為每一個所述獨立氣流控制區域設置一個分離氣口，通過區域獨立氣流管道將工藝氣體經所述分離氣口導入到所述鍍膜子區域；每個所述區域獨立氣流管道設置獨立氣流控制器；

S3：分別設置每一個所述獨立氣流控制器的氣流通入參數；

S4：自上而下設置M個整流板；其中，M≥1，且M為正整數；

S5：將基材通過輸送裝置運輸到所述整流板下方的鍍膜工藝區；

S6：所述獨立氣流控制器根據預先設置的所述氣流通入參數，將工藝氣體分布經所述區域獨立氣流管道、所述分離氣口導入設置了M個所述整流板的多級整流區域；

S7：工藝氣體經M個所述整流板進行多級整流后，均勻分流到所述鍍膜工藝區，與所述基材發生工藝反應。

2.根據權利要求1所述一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流工藝，其特征在于：所述鍍膜子區域、所述獨立氣流控制區域的形狀包括：矩形、圓型、橢圓形、三角形、平行四邊形。

3.根據權利要求1所述一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流工藝，其特征在于：步驟S1中，將鍍膜區域分為N×S個鍍膜子區域的劃分方法，包括：面積等分、面積不等分。

4.根據權利要求1所述一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流工藝，其特征在于：步驟S2中，所述獨立氣流控制器包括：閥門、流量計。

5.根據權利要求1所述一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流工藝，其特征在于：步驟S3中，每一個所述獨立氣流控制器的氣流通入參數是獨立設置的。

6.一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流氣路系統，其包括：整流板，其特征在于：所述整流板包括自上而下依次設置的一級整流板、二級整流板；所述整流板被劃分為N×S個獨立氣流控制區域，所述一級整流板上設置一級分流氣孔，所述二級整流板上設置二級分流氣孔；其還包括分離氣口，每一個所述分離氣口連通其對應的所述獨立氣流控制區域的中的所述一級整流板。

7.根據權利要求6所述一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流氣路系統，其特征在于：所述一級整流板設置于多層電極板、電極基座下方，所述電極基座、所述一級整流板、所述二級整流板，通過固定組件固定連接；所有的所述分離氣口開設在所述多層電極板上方，通過氣道連通其對應區域的所述一級整流板。

8.根據權利要求6所述一種真空鍍膜設備多路入氣多級整流氣路系統，其特征在于：所述一級分流氣孔密度小于所述二級分流氣孔。