[發明專利]一種地層俘獲截面曲線校正方法、裝置及設備

在審

• 申請號: 202010848170.0
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112036016A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 黨利霞;鄧瑞
• 申請（專利權）人: 長江大學
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F30/25;E21B47/00;E21B49/00;G06F111/08
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 易賢衛

1.一種地層俘獲截面曲線校正方法，其特征在于，包括如下步驟：

建立地層俘獲截面的蒙特卡羅計算模型，根據蒙特卡羅計算模型分析出地層俘獲截面獲取的影響因素；

獲取實際井資料以及已有裸井資料中的標志層的俘獲截面曲線，根據所述標志層的俘獲截面曲線選出實際井中的異常井段，并對異常井段中的影響因素進行校正，其中，所述標志層包括純泥巖層和純水層；

根據校正后的異常井段數據得到校正后的地層俘獲截面曲線。

2.根據權利要求1所述的地層俘獲截面曲線校正方法，其特征在于，所述蒙特卡羅計算模型為：

Σ＝Σ_m(1-φ)+Σ_wS_wφ+Σ_h(1-S_w)φ，

其中，Σ、Σm、Σw和Σh分別為地層、骨架、孔隙水和烴類的熱中子宏觀俘獲截面，φ為孔隙度，Sw為含水飽和度。

3.根據權利要求2所述的地層俘獲截面曲線校正方法，其特征在于，所述建立地層俘獲截面的蒙特卡羅計算模型，根據蒙特卡羅計算模型分析出地層俘獲截面獲取的影響因素的步驟包括：

建立地層俘獲截面的蒙特卡羅計算模型；

在不同條件因素下，采用蒙特卡羅計算模型獲取地層俘獲截面曲線，以分析出所述地層俘獲截面獲取的影響因素。

4.根據權利要求3所述的地層俘獲截面曲線校正方法，其特征在于，所述條件因素包括儀器位置、管柱結構、套管尺寸、井眼水礦化度、地層水礦化度、泥質含量以及孔隙度。

5.根據權利要求4所述的地層俘獲截面曲線校正方法，其特征在于，所述獲取實際井資料以及已有裸井資料中的標志層的俘獲截面曲線，根據所述標志層的俘獲截面曲線選出實際井中的異常井段，并對異常井段中的影響因素進行校正的步驟包括：

根據已有裸井資料，選取其中最大且最穩定的純泥巖層和純水層，并將其作為標志層；

分析實際井資料，選取其中的異常井段；

根據所述標志層對所述異常井段進行校正。

6.根據權利要求5所述的地層俘獲截面曲線校正方法，其特征在于，所述標志層的選取方法為：

根據已有裸眼井原始測量數據的GR曲線和SP曲線判定巖性，找出其中最大且穩定的純泥巖層；

根據已有裸眼井成果數據找出純水層。

7.一種地層俘獲截面曲線校正裝置，其特征在于，包括：

影響因素分析模塊，用于建立地層俘獲截面的蒙特卡羅計算模型，根據蒙特卡羅計算模型分析出地層俘獲截面獲取的影響因素；

影響因素校正模塊，用于獲取實際井資料以及已有裸井資料中的標志層的俘獲截面曲線，根據所述標志層的俘獲截面曲線選出實際井中的異常井段，并對異常井段中的影響因素進行校正，其中，所述標志層包括純泥巖層和純水層；

俘獲截面校正模塊，用于根據校正后的異常井段數據得到校正后的地層俘獲截面曲線。

8.一種地層俘獲截面曲線校正設備，其特征在于，包括處理器以及存儲器；

所述存儲器上存儲有可被所述處理器執行的計算機可讀程序；

所述處理器執行所述計算機可讀程序時實現如權利要求1-6任意一項所述的地層俘獲截面曲線校正方法中的步驟。

9.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質存儲有一個或者多個程序，所述一個或者多個程序可被一個或者多個處理器執行，以實現如權利要求1-6任意一項所述的地層俘獲截面曲線校正方法中的步驟。