[發明專利]半導體裸片的臨時后輔助嵌入

在審

• 申請號: 202010847266.5
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112420527A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: R·克尼佩爾;T·沙夫
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

一種方法，其包括：提供具有第一主表面、與第一主表面相反的第二主表面和第一主表面與第二主表面之間的邊緣的半導體裸片；將臨時間隔件施加到所述半導體裸片的第一主表面的第一部分，所述第一部分相對于所述第一主表面的外周部分向內定位；在施加所述臨時間隔件之后，將所述半導體裸片至少部分地嵌入到嵌入材料中，所述嵌入材料覆蓋所述邊緣和所述半導體裸片的第一主表面的外周部分，并接觸所述臨時間隔件的側壁；以及在所述嵌入之后，將所述臨時間隔件從所述半導體裸片的第一主表面移除，以暴露所述半導體裸片的第一主表面的第一部分。還提供了通過所述方法生產的半導體裝置。

技術領域

本公開總體上涉及半導體技術。更特別地，本公開涉及用于半導體裝置的嵌入方法以及半導體裝置。

背景技術

模制是用于半導體裸片的標準包封方法。在許多情況下，優選從模具應用中排除裝置的某些區域。通常，這是通過薄膜輔助模制(FAM：Film Assisted Molding)來完成的。薄膜輔助模制是一種利用膜片的模制工藝，該膜片將裝置的被包封的區域密封在不需要的模具上。膜片必須適應被包封的裝置的高度和尺寸公差，而且還必須用大的力將其壓在裝置上，以避免模具飛邊。這些競爭要求形成昂貴的折衷結果，并導致在被包封的裝置的形貌特征處形成不適當的邊緣。在其它情況下，可能有必要保護特征免受膜片的高局部壓力和/或可能需要太小而無法由覆蓋有厚膜片的模具印章形成的拓撲結構(topologies)。

可以施加底部填充化合物和/或可以減小模制化合物中包含的填料顆粒的尺寸。然而，在兩種情況下，機械穩定性降低和/或隔離問題會導致長期穩定性降低。底部填充和較小的填料顆粒也會使材料成本增加高達100倍。此外，這些方法包括暴露的酰亞胺/Cu鍍邊界區域，可能會由于界面不確定而引起長期穩定性問題。這些方法不使用膜片輔助成型，因此許多產品是不可能的。在許多情況下，特征是在成型之后打開的，這很費力并且會損壞下面的結構。

因此，需要用于半導體裝置的改進的嵌入過程。

發明內容

根據一種方法的一個實施例，所述方法包括：提供具有第一主表面、與所述第一主表面相反的第二主表面和在所述第一主表面與所述第二主表面之間的邊緣的半導體裸片；將臨時間隔件施加到所述半導體裸片的第一主表面的第一部分，所述第一部分相對于所述第一主表面的外周部分向內定位；在施加所述臨時間隔件之后，將所述半導體裸片至少部分地嵌入在嵌入材料中，所述嵌入材料覆蓋所述邊緣和所述半導體裸片的第一主表面的外周部分并且接觸所述臨時間隔件的側壁；以及在所述嵌入之后，將所述臨時間隔件從所述半導體裸片的第一主表面移除，以暴露所述半導體裸片的第一主表面的第一部分。

根據一種方法的一個實施例，所述方法包括：提供具有多個半導體裸片的半導體晶片，所述多個半導體裸片中的每個半導體裸片具有第一主表面、與所述第一主表面相反的第二主表面；將臨時間隔件施加到所述半導體裸片中的每一個的第一主表面的第一部分，所述第一部分相對于所述第一主表面的外周部分向內定位；在施加所述臨時間隔件之后，將多個半導體裸片單個化以便在每個裸片的第一主表面與第二主表面之間形成邊緣；在所述單個化之后，將單個化的半導體裸片中的每一個至少部分地嵌入在嵌入材料中，所述嵌入材料覆蓋所述邊緣和所述單個化的半導體裸片中的每一個的第一主表面的外周部分，并接觸相應的臨時間隔件的側壁；以及在所述嵌入之后，將所述臨時間隔件從所述單個化的半導體裸片的第一主表面移除，以暴露所述單個化的半導體裸片的第一主表面的第一部分。

根據一種半導體裝置的一個實施例，所述半導體裝置包括：半導體裸片，其具有第一主表面、與所述第一主表面相反的第二主表面和在所述第一主表面與所述第二主表面之間的邊緣；覆蓋所述邊緣和所述半導體裸片的第一主表面的外周部分的模制化合物，所述模制化合物包括樹脂和嵌入在所述樹脂內的填料顆粒；以及所述模制化合物中的開口，所述開口從所述模制化合物暴露所述半導體裸片的第一主表面的第一部分，所述第一部分相對于外周部分向內定位，其中，所述模制化合物中的開口具有側壁，其中，側壁沿著所述開口的側壁設置的主要所有填料顆粒完全嵌入在樹脂內，而根本不沿著側壁暴露。