[發(fā)明專利]一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010846605.8
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112038244A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周宗濤
• 申請（專利權(quán)）人: 諾得卡（上海）微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 上海兆豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(有限合伙) 31241
• 代理人: 盧艷民

本發(fā)明公開了一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，包括以下步驟：S1，在載帶的正面焊接芯片以及與芯片相連接的兩根金絲；S2，采用中空封裝形式將載帶上的芯片以及與芯片相連的兩根金絲封裝起來，且UV膠不觸及到金絲和芯片。本發(fā)明的智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，由于避免了采用UV膠在封裝區(qū)域內(nèi)將金絲、芯片以及壓焊點全部用UV有機(jī)材料包封，使標(biāo)簽?zāi)K產(chǎn)品，不僅可以使用在較高的溫度，且可以使用在溫度波動幅度大、溫度變換頻繁的比較嚴(yán)酷的環(huán)境下,也可以在一定的抗潮濕或腐蝕氣體環(huán)境下正常工作。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，屬于微電子封裝領(lǐng)域。

背景技術(shù)

請參閱圖1和圖2，常規(guī)的智能卡模塊，或者智能標(biāo)簽?zāi)K的封裝，到目前為止，基本上都是采用UV封裝，由于載帶10'的正面(功能面)首先要裝焊射頻RF芯片11'，而且RF芯片11'要與標(biāo)簽?zāi)K載帶上的射頻天線的兩端焊點，需要焊接兩根金絲12'。這兩根金絲12'需要與芯片上的兩個焊點和天線焊接端進(jìn)行互連后，還需要用紫外固化環(huán)氧膠將標(biāo)簽?zāi)K的芯片和兩根金絲進(jìn)行封裝——簡稱UV封裝，具體地，將UV固化環(huán)氧樹脂(以下簡稱UV膠)20'將芯片11'以及與芯片互連的金絲12'用UV固化環(huán)氧完全包封住(見圖1)。有些大芯片的智能卡模塊，為了有效地控制封裝面積，采用UV筑壩21'加UV膠20'填料封裝技術(shù)，將金絲12'和芯片11'完全包封，(見圖2)。

對于智能卡模塊或者標(biāo)簽?zāi)K，其耐高溫等級主要還是取決于所用的帶基材料以及相應(yīng)的封裝材料本身的耐溫性能。帶基材料采用智能卡或智能標(biāo)簽常用的G10基材S35玻璃纖維布載帶，以及耐高溫的聚酰亞胺PI敷銅S35帶基。并且?guī)Щ弦呀?jīng)制作成相應(yīng)的射頻天線，作為耐高溫智能標(biāo)簽的應(yīng)用，通常我們定位可以長期在24小時100攝氏度或略高于100攝氏度的溫度下工作，現(xiàn)有技術(shù)中的UV封裝技術(shù)，由于采用UV膠在封裝區(qū)域內(nèi)將金絲、芯片以及壓焊點全部用UV有機(jī)材料包封，這就使得智能卡模塊或者標(biāo)簽?zāi)K，在較高的溫度，或者在溫度高低頻繁變換的工作環(huán)境下，由于UV膠20'本身的有機(jī)材料的線性膨脹系數(shù)高，導(dǎo)致金絲或壓焊點開路而失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，使標(biāo)簽?zāi)K產(chǎn)品，不僅可以使用在較高的溫度，且可以使用在溫度波動幅度大、溫度變換頻繁的比較嚴(yán)酷的環(huán)境下,也可以在一定的抗潮濕或腐蝕氣體環(huán)境下正常工作。

實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是：一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，包括以下步驟：

S1，在載帶的正面焊接芯片以及與芯片相連接的兩根金絲；

S2，采用中空封裝形式將載帶上的芯片以及與芯片相連的兩根金絲封裝起來，且UV膠不觸及到金絲和芯片。

上述的一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，步驟S2中，所述中空封裝形式采用UV膠筑壩中空封裝形式，具體包括以下工序：

S21，在芯片以及與芯片相連接的金絲的外圍四周，用高粘度耐高溫UV膠涂布筑壩形成壩體；

S22，機(jī)械手臂吸住沖切下來的蓋板并將蓋板覆蓋在壩體的頂端；

S23，將封好蓋板的智能標(biāo)簽?zāi)K放入UV固化爐中進(jìn)行固化。

上述的一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，其中，所述高粘度耐高溫UV膠的黏度為150000～200000mPa.s，所述蓋板采用半透明的環(huán)氧玻璃纖維布或者透UV的耐高溫薄膜。

上述的一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，其中，所述蓋板的厚度為0.1～0.3mm，所述壩體的壁厚為0.3～1.0mm，高度為0.5～0.6mm。

上述的一種智能標(biāo)簽?zāi)K芯片中空封裝工藝，其中，所述壩體的形狀為圓形或方形，所述蓋板與所述壩體相適配。