[發明專利]MEMS麥克風的制造方法有效
| 申請號： | 202010846382.5 | 申請日： | 2020-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN111741423B | 公開（公告）日： | 2020-11-20 |
| 發明（設計）人： | 閭新明;魏丹珠;艾俊 | 申請（專利權）人： | 中芯集成電路制造（紹興）有限公司 |
| 主分類號： | H04R31/00 | 分類號： | H04R31/00;H04R19/04;H04R19/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 麥克風 制造 方法 | ||
1.一種MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一襯底，所述襯底上依次層疊有下極板、犧牲層和上極板，所述上極板中形成有多個聲孔，且所述聲孔貫穿所述上極板并伸入到所述犧牲層中，所述下極板的部分表面被所述犧牲層和所述上極板暴露出來；
依次形成引出電極層和光刻膠層于所述上極板的表面以及所述上極板暴露出的犧牲層和下極板的表面上，所述引出電極層填充所述聲孔的部分深度，所述光刻膠層還覆蓋所述聲孔中的所述引出電極層；
對所述光刻膠層進行第一次曝光，以定義出待形成引出電極的區域；
對所述聲孔中的光刻膠層進行第二次曝光；
對所述光刻膠層進行顯影，形成圖案化的光刻膠層，并以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，蝕刻所述引出電極層，以形成引出電極；
去除所述圖案化的光刻膠層并去除所述犧牲層，以形成空腔。
2.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，所述聲孔貫穿所述上極板并伸入到所述犧牲層中時，所述聲孔的深寬比至少為1.5。
3.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，在對所述光刻膠層進行第一次曝光之前，所述光刻膠層填滿所述聲孔。
4.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，所述第一次曝光采用能夠定義引出電極的第一光罩。
5.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，所述第二次曝光采用能夠定義聲孔的第二光罩。
6.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，所述第二次曝光所采用的曝光劑量低于所述第一次曝光所采用的曝光劑量。
7.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，所述引出電極層的材料包括金屬，所述下極板的材料選自金屬、未摻雜的多晶硅、摻雜的多晶硅、未摻雜的非晶硅和摻雜的非晶硅中的至少一種；所述上極板的材料選自金屬、未摻雜的多晶硅、摻雜的多晶硅、未摻雜的非晶硅和摻雜的非晶硅中的至少一種。
8.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，在所述襯底的表面上形成下極板之前，先在所述襯底的表面上形成絕緣介質層。
9.如權利要求1所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，采用選擇性濕法刻蝕工藝，并經各個所述聲孔滲入刻蝕液，去除所述犧牲層，以形成空腔。
10.如權利要求9所述的MEMS麥克風的制造方法，其特征在于，在去除圖案化的光刻膠層之后且在去除所述犧牲層之前或之后，還包括：從所述襯底背向所述下極板的一側對所述襯底進行刻蝕，直至暴露出所述下極板面向所述襯底的表面，以形成背腔。
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